公开(公告)号：CN114743810B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202210357373.9

申请日：2022-04-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 邹勇进 ,  程成 ,  向翠丽 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: H01G11/36 ,  H01G11/30 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种GO‑NiCoS‑NiMoLDH复合材料，由氧化石墨烯GO、片状NiCo2S4和纳米花状NiMoLDH构成；其中，GO为基体材料，微观形貌为纳米片结构，作用是导电基底利于电子的超高速输运；NiCo2S4的微观结构为纳米片结构，负载于GO的表面，作用是提供额外赝电容；NiMoLDH的微观结构为纳米片结构，嵌于NiCo2S4纳米片结构的表面，作用是增大NiCo2S4的比表面积；其制备方法为两步水热法，步骤1，GO‑NiCo2S4的制备；步骤2，GO‑NiCoS‑NiMoLDH的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A g‑1时，比电容为1300‑1400 F g‑1；在放电电流密度为20A g‑1时，在3000圈循环后的循环稳定性为100%。具有以下优点：形成由纳米片组成纳米花的分层结构避免纳米片的聚集；NiCo2S4和NiMoLDH之间还存在协同作用。

公开(公告)号：CN114743810A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210357373.9

申请日：2022-04-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 邹勇进 ,  程成 ,  向翠丽 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: H01G11/36 ,  H01G11/30 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种GO‑NiCoS‑NiMoLDH复合材料，由氧化石墨烯GO、片状NiCo2S4和纳米花状NiMoLDH构成；其中，GO为基体材料，微观形貌为纳米片结构，作用是导电基底利于电子的超高速输运；NiCo2S4的微观结构为纳米片结构，负载于GO的表面，作用是提供额外赝电容；NiMoLDH的微观结构为纳米片结构，嵌于NiCo2S4纳米片结构的表面，作用是增大NiCo2S4的比表面积；其制备方法为两步水热法，步骤1，GO‑NiCo2S4的制备；步骤2，GO‑NiCoS‑NiMoLDH的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A g‑1时，比电容为1300‑1400 F g‑1；在放电电流密度为20A g‑1时，在3000圈循环后的循环稳定性为100%。具有以下优点：形成由纳米片组成纳米花的分层结构避免纳米片的聚集；NiCo2S4和NiMoLDH之间还存在协同作用。