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公开(公告)号：CN110146946A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910489347.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称性弯曲结构的太赫兹集成器件，包括衬底和水平设置在衬底上的金属薄膜，所述金属薄膜设置有三块，由位于中心的呈直线状的中心金属薄膜，和设置在中心金属薄膜两侧的侧部金属薄膜构成，所述侧部金属薄膜呈圆弧状，开口远离中心金属薄膜一侧设置，两块所述侧部金属薄膜的曲率圆圆心的连线与中心金属薄膜之间的夹角小于90度，所述中心金属薄膜和侧部金属薄膜的两侧壁上均设置有规则排列的锯齿结构。本发明的器件通用性较强，在不同波段下依然可以产生预设效果，无需改变设计好的几何结构，器件的适用范围还会扩展，可进行大部分太赫兹波段的研究。
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公开(公告)号：CN110146946B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910489347.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称性弯曲结构的太赫兹集成器件，包括衬底和水平设置在衬底上的金属薄膜，所述金属薄膜设置有三块，由位于中心的呈直线状的中心金属薄膜，和设置在中心金属薄膜两侧的侧部金属薄膜构成，所述侧部金属薄膜呈圆弧状，开口远离中心金属薄膜一侧设置，两块所述侧部金属薄膜的曲率圆圆心的连线与中心金属薄膜之间的夹角小于90度，所述中心金属薄膜和侧部金属薄膜的两侧壁上均设置有规则排列的锯齿结构。本发明的器件通用性较强，在不同波段下依然可以产生预设效果，无需改变设计好的几何结构，器件的适用范围还会扩展，可进行大部分太赫兹波段的研究。
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公开(公告)号：CN210427847U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201920847719.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种非对称性弯曲结构的太赫兹集成器件，包括衬底和水平设置在衬底上的金属薄膜，所述金属薄膜设置有三块，由位于中心的呈直线状的中心金属薄膜，和设置在中心金属薄膜两侧的侧部金属薄膜构成，所述侧部金属薄膜呈圆弧状，开口远离中心金属薄膜一侧设置，两块所述侧部金属薄膜的曲率圆圆心的连线与中心金属薄膜之间的夹角小于90度，所述中心金属薄膜和侧部金属薄膜的两侧壁上均设置有规则排列的锯齿结构。本实用新型的器件通用性较强，在不同波段下依然可以产生预设效果，无需改变设计好的几何结构，器件的适用范围还会扩展，可进行大部分太赫兹波段的研究。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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