公开(公告)号：CN117794329B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311420596.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 何珍 ,  王江 ,  熊健 ,  张永松 ,  张坚

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/88 ,  H10K85/20 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/富勒烯面异质结的优化方法，涉及光伏电池材料技术领域，步骤：S1：在有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结上采用2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸材料进行展开处理；S2：对被2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸展开处理后的有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面向异质结进行热处理；本发明还公开了一种采用上述方法制成的高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料；本发明还公开了一种上述高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料在倒置钙钛矿太阳能电池的应用，能够实现钙钛矿薄膜、有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结接触、阴极界面接触质量的全面提升，实现缺陷的全方位钝化及多界面的修饰，改善因缺陷、晶界、界面因素导致的复合损失及稳定性问题。

公开(公告)号：CN116916724A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310975799.5

申请日：2023-08-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 熊健 ,  张永松 ,  覃波 ,  何珍 ,  王江 ,  张坚

IPC: H10K71/40 ,  H10K71/00 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池的离子液体热管理方法，涉及光伏电池技术领域。本发明将一种高稳定性的离子液体沉积在钙钛矿薄膜和与其接触的电子传输层界面之间，或加入到钙钛矿薄膜的原材料中，在N2气氛或空气中通过25‑120℃后处理工艺分布在钙钛矿薄膜的表面和晶界，对钙钛矿太阳能电池在实际工作中钙钛矿活性层产生的热进行有效的管理，实现离子液体在有机‑无机杂化钙钛矿太阳能电池中的多功能应用的方法。

公开(公告)号：CN115036428A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210435522.9

申请日：2022-04-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 熊健 ,  戴骏乾 ,  刘乃赫 ,  刘伟之 ,  张永松 ,  黄肖莹 ,  许云飞 ,  黄瑜 ,  张哲泠 ,  张坚

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。

公开(公告)号：CN115498114A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210800381.6

申请日：2022-07-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 熊健 ,  刘乃赫 ,  戴骏乾 ,  张永松 ,  何珍 ,  黄瑜 ,  张哲泠 ,  张坚

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，且公开了一种倒置钙钛矿太阳能电池阴极界面强化处理材料、方法及应用，包括以下步骤：步骤1.制备有机无机杂化钙钛矿薄膜、电子传输层；步骤2.在电子传输层上插入2,2'‑(1,3‑苯基)二[5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑恶二唑]材料及其衍生物的一种或几种混合的阴极界面强化层,本发明与现有技术相比具有更好的稳定性和器件的使用寿命，阴极界面强化层中含有氮杂环，能够化学吸附并配位作用在金属电极上，够抑制金属电极在Cl‑、Br‑、I‑等卤素环境中的电化学腐蚀，提高金属电极的防腐蚀性能，抑制由电极腐蚀所引发的钙钛矿电池的效率衰减。与此同时，阴极界面强化层可以消除界面势垒，提高载流子传输。提升器件性能与寿命。

公开(公告)号：CN117794329A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311420596.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 何珍 ,  王江 ,  熊健 ,  张永松 ,  张坚

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/88 ,  H10K85/20 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/富勒烯面异质结的优化方法，涉及光伏电池材料技术领域，步骤：S1：在有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结上采用2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸材料进行展开处理；S2：对被2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸展开处理后的有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面向异质结进行热处理；本发明还公开了一种采用上述方法制成的高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料；本发明还公开了一种上述高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料在倒置钙钛矿太阳能电池的应用，能够实现钙钛矿薄膜、有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结接触、阴极界面接触质量的全面提升，实现缺陷的全方位钝化及多界面的修饰，改善因缺陷、晶界、界面因素导致的复合损失及稳定性问题。

公开(公告)号：CN115036428B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210435522.9

申请日：2022-04-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 熊健 ,  戴骏乾 ,  刘乃赫 ,  刘伟之 ,  张永松 ,  黄肖莹 ,  许云飞 ,  黄瑜 ,  张哲泠 ,  张坚

IPC: H10K85/10 ,  H10K71/12 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40

Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。