公开(公告)号：CN114118163A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111460428.0

申请日：2021-12-01

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第三十四研究所

Inventor： 蒋俊正 ,  陈俊杰 ,  刘志强

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N20/10 ,  G08B13/12

Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的光纤入侵检测方法，其特征在于，包括如下步骤：1）信号预处理；2）信号特征提取；3）分类模型。这种方法可以快速分辨出正常数据和入侵数据，具有较高的分辨准确率。

公开(公告)号：CN114118163B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202111460428.0

申请日：2021-12-01

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第三十四研究所

Inventor： 蒋俊正 ,  陈俊杰 ,  刘志强

IPC: G06F18/241 ,  G08B13/12 ,  G06F18/10 ,  G06F18/213 ,  G06N3/0499 ,  G06N20/20 ,  G06N20/10 ,  G06F18/2411 ,  G06F18/2431

Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的光纤入侵检测方法，其特征在于，包括如下步骤：1）信号预处理；2）信号特征提取；3）分类模型。这种方法可以快速分辨出正常数据和入侵数据，具有较高的分辨准确率。

公开(公告)号：CN120018769A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510168290.9

申请日：2025-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张法碧 ,  刘志强 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  谢仕锋 ,  李跃 ,  杨万里

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。