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公开(公告)号：CN119689741A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510005600.5
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 一种基于倾斜电极结构的薄膜铌酸锂电光调制器，并带有凹槽设计,属于通信技术领域。结构从下至上依次由硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂波导、二氧化硅缓冲层、金属倾斜型电极、二氧化硅上包层组成，其中电极被包裹在二氧化硅上包层与，二氧化硅缓冲层之间，薄膜铌酸锂脊波导被包裹在，二氧化硅缓冲层和下包层之间；本发明中金属电极结构采用斜型电极地‑信号‑地行波电极，通过尖端放电使得电场集中，增大了铌酸锂内部的电场强度，可以有效的增强光电调制效率，铌酸锂薄膜和金属倾斜型电极间增加一层薄二氧化硅缓冲层，利于减弱金属电极对铌酸锂脊波导内传输光的吸收，有效的降低波导损耗；通过调节不同的金属电极倾斜角度可以促使速度匹配和阻抗匹配，可以有效的降低半波电压提高调制效率，减少光吸收损耗。
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