一种树枝状纳米金修饰玻碳电极电化学检测硒(Ⅳ)的方法

    公开(公告)号:CN110618176A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201910990510.0

    申请日:2019-10-17

    Inventor: 潘宏程 郭垠 陈雯

    Abstract: 本发明公开了一种树枝状纳米金修饰玻碳电极电化学检测硒(Ⅳ)的方法。其方法步骤:利用恒电位沉积法,在玻碳电极上修饰具有多级分支的树枝状纳米金结构,利用树枝状纳米金比表面积大,活性位点多,可与硒(Ⅳ)形成Se-Au共价键的特点,实现对硒元素的高灵敏检测。本发明方法制备过程简单,成本低廉,无污染。

    一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN110711610B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN201910990082.1

    申请日:2019-10-17

    Inventor: 潘宏程 郭垠 陈雯

    Abstract: 本发明公开了一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法。其方法步骤:先将ITO表面进行巯基硅烷化处理,以增加其对Au纳米微粒的粘附性,然后利用恒电压沉积技术将具有树枝晶形貌的纳米金沉积在ITO电极上。之后通过在120℃的恒温干燥箱中反应3h,将树枝状金ITO表面的润湿态由亲水态转变为超疏水态。最后通过激光刻蚀技术,在超疏水表面刻蚀出8个具有超亲水边缘的微阵列圆孔,以得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片。本发明方法制备过程简单,成本低廉,制备的芯片具有富集微液滴的能力,且得到的树枝状金表面洁净、无污染,在生物分析、表面拉曼增强领域有广阔的应用前景。

    一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN110711610A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910990082.1

    申请日:2019-10-17

    Inventor: 潘宏程 郭垠 陈雯

    Abstract: 本发明公开了一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法。其方法步骤:先将ITO表面进行巯基硅烷化处理,以增加其对Au纳米微粒的粘附性,然后利用恒电压沉积技术将具有树枝晶形貌的纳米金沉积在ITO电极上。之后通过在150℃的恒温干燥箱中反应3h,将树枝状金ITO表面的润湿态由亲水态转变为超疏水态。最后通过激光刻蚀技术,在超疏水表面刻蚀出8个具有超亲水边缘的微阵列圆孔,以得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片。本发明方法制备过程简单,成本低廉,制备的芯片具有富集微液滴的能力,且得到的树枝状金表面洁净、无污染,在生物分析、表面拉曼增强领域有广阔的应用前景。

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