显示装置及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN100357799C

    公开(公告)日:2007-12-26

    申请号:CN200510069975.0

    申请日:2005-05-11

    Inventor: 栗田诚 后藤顺

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F1/13439 H01L27/12 H01L27/124

    Abstract: 本发明提供一种不增加成膜装置的成本,就能防止由透明导电膜的电池反应所引起的劣化的显示装置。所述显示装置包括:由以氧化铟为主要成分的透明导电膜形成的第1导电层、形成在上述第1导电层的上面的导电性的基底层、由以Al为主要成分的膜形成在上述基底层的上面的第2导电层、以及由与上述第2导电层相同的材料形成在上述第2导电层的上面的第3导电层。在上述第2导电层和上述第3导电层之间的界面上,晶界的位置不连续。另外,上述基底层,是以Mo、Ti、Ta中的任意一个为主要成分的膜。上述第3导电层,被用作反射电极。

    显示装置及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1696770A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200510069975.0

    申请日:2005-05-11

    Inventor: 栗田诚 后藤顺

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F1/13439 H01L27/12 H01L27/124

    Abstract: 本发明提供一种不增加成膜装置的成本,就能防止由透明导电膜的电池反应所引起的劣化的显示装置。所述显示装置包括:由以氧化铟为主要成分的透明导电膜形成的第1导电层、形成在上述第1导电层的上面的导电性的基底层、由以Al为主要成分的膜形成在上述基底层的上面的第2导电层、以及由与上述第2导电层相同的材料形成在上述第2导电层的上面的第3导电层。在上述第2导电层和上述第3导电层之间的界面上,晶界的位置不连续。另外,上述基底层,是以Mo、Ti、Ta中的任意一个为主要成分的膜。上述第3导电层,被用作反射电极。

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