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公开(公告)号:CN1866742B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200610082444.X
申请日:2006-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社次世代PDP开发中心
IPC: H03K17/687 , G09G3/28 , G09G3/20 , H01J17/49 , G09F9/313
CPC classification number: G09G3/296 , G09G2330/028 , Y10T307/461
Abstract: 本发明提供一种小型、低损耗、低成本的负载驱动电路、集成电路以及低成本的等离子显示器。在根据切换命令对向负载3提供的电压进行高低切换的负载驱动电路中的主IGBT 21的栅-阴极间,向触发器5的输出级n型MOS晶体管521的源-漏间提供电压。为了保持该电压,上述触发器5的电源由主电源1或其被连接到固定电位点HVC的电荷泵电源电路8来提供。另外,为了保持电源HVA的电位比主电源1的正极HVC的电位高,设置了放电防止电路7或放电防止元件91、92。
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公开(公告)号:CN1866742A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610082444.X
申请日:2006-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社次世代PDP开发中心
IPC: H03K17/687 , G09G3/28 , G09G3/20 , H01J17/49 , G09F9/313
CPC classification number: G09G3/296 , G09G2330/028 , Y10T307/461
Abstract: 本发明提供一种小型、低损耗、低成本的负载驱动电路、集成电路以及低成本的等离子显示器。在根据切换命令对向负载3提供的电压进行高低切换的负载驱动电路中的主IGBT 21的栅-阴极间,向触发器5的输出级n型MOS晶体管521的源-漏间提供电压。为了保持该电压,上述触发器5的电源由主电源1或其被连接到固定电位点HVC的电荷泵电源电路8来提供。另外,为了保持电源HVA的电位比主电源1的正极HVC的电位高,设置了放电防止电路7或放电防止元件91、92。
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公开(公告)号:CN102545860A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110339574.8
申请日:2011-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03K17/567 , A61B8/00
CPC classification number: H03K17/063 , A61B8/4483 , H03K17/08104 , H03K17/102 , H03K17/6874
Abstract: 本发明提供具有良好的线性特性,且功率损失小的双向模拟开关的半导体装置,并且提供具有高检测精度的超声波诊断装置。所述内置有可双向接通或者断开的开关电路和所述开关电路的驱动电路的双向模拟开关的半导体装置中,所述驱动电路与第一以及第二电源连接,所述第一电源电压为施加在所述开关电路的输入输出端子上的信号的最大电压值以上,所述第二电源电压为施加在所述开关电路的输入输出端子上的信号的最小电压值以下,并且,所述驱动电路在所述第一电源和所述开关电路之间具有串联连接的齐纳二极管和P型MOSFET。另外,所述超声波诊断装置具有所述半导体装置。
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公开(公告)号:CN101771405A
公开(公告)日:2010-07-07
申请号:CN200910260491.2
申请日:2009-12-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03K17/567 , H01L27/06
CPC classification number: H03K17/163 , H03K17/6877
Abstract: 提供一种半导体装置和使用了它的电力变换装置。通过提高电力变换用的半导体绝缘栅型开关元件的驱动电路的输出级的元件的电流驱动能力并实现小型化,提供驱动电路被集成化的、更小型且高性能的驱动电路,进而通过使用它提供更小型且高性能的电力变换装置。为此,在控制绝缘栅型的主半导体开关元件的通断的驱动电路中,在控制上述主半导体开关元件的栅极电压的电路的输出级使用了绝缘栅控制型的双极半导体元件,尤其是IGBT。
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