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公开(公告)号:CN1244084C
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN01130197.X
申请日:2001-10-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立器件工程株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G3/3688 , G09G3/3696 , G09G5/39 , G09G2300/0408 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , G11C19/184 , G11C19/28 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/42384
Abstract: 一种显示设备包括以稳定方式工作并能够扩展设计自由度的非比例动态移位寄存器。在配备具有在衬底表面上形成并由P-Si制成的半导体层的薄膜晶体管的动态非比例移位寄存器中,变成浮动状态的节点被经过电容元件连接到固定电位上。
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公开(公告)号:CN1367476A
公开(公告)日:2002-09-04
申请号:CN01130197.X
申请日:2001-10-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立器件工程株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G3/3688 , G09G3/3696 , G09G5/39 , G09G2300/0408 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , G11C19/184 , G11C19/28 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/42384
Abstract: 一种显示设备包括以稳定方式工作并能够扩展设计自由度的非比例动态移位寄存器。在配备具有在衬底表面上形成并由P-Si制成的半导体层的薄膜晶体管的动态非比例移位寄存器中,变成浮动状态的节点被经过电容元件连接到固定电位上。
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