公开(公告)号：CN1150337A

公开(公告)日：1997-05-21

申请号：CN96113081.4

申请日：1996-10-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石川胜美 ,  齐藤克明 ,  佐藤裕 ,  渡边笃雄 ,  加藤修治 ,  门马直弘

IPC: H01L29/96 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L29/74 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861 ,  Y10S257/913

Abstract: 在一种如二极管和可控硅这类至少包含一个位于一对主表面之间的pn结、一个在主表面之一的表面上形成的第一主电极和一个在另一主表面上形成的第二主电极的半导体器件中，形成一种半导体晶格缺陷，使得晶格缺陷密度从第一主电极到第二主电极方向逐渐增大。由于导通状态下的载流子密度分布可按本发明的方法变平坦，故可使反向恢复电荷Qr显著减小而不会引起导通电压VT的增大。

公开(公告)号：CN1004736B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN85108969

申请日：1985-10-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边笃雄 ,  长野隆洋 ,  池田隆英 ,  门马直弘 ,  斋藤隆一

IPC: H01L29/28 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092

Abstract: 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。

公开(公告)号：CN85108969A

公开(公告)日：1986-05-10

申请号：CN85108969

申请日：1985-10-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边笃雄 ,  长野隆洋 ,  池田隆英 ,  门马直弘 ,  斋藤隆一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092

Abstract: 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。