公开(公告)号：CN85109742B

公开(公告)日：1988-06-29

申请号：CN85109742

申请日：1985-11-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  长泽幸一 ,  元吉真 ,  永井清 ,  目黑怜

IPC: H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0928

Abstract: 在一个共用的工序中形成了Ｐ和Ｎ沟道ＭＯＳ场效应晶体管的Ｐ和Ｎ型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在Ｎ型源或漏区以离子注入法注入一种Ｎ型杂质。把此Ｎ型杂质退火以形成一个比Ｎ型源或漏区为深的Ｎ型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此Ｎ型源或漏区。

公开(公告)号：CN85109742A

公开(公告)日：1986-07-09

申请号：CN85109742

申请日：1985-11-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  长泽幸一 ,  元吉真 ,  永井清 ,  目黑怜

IPC: H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0928

Abstract: 在一个共用的工序中形成了P和N沟道MOS场效应晶体管的P和N型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在N型源或漏区以离子注入法注入一种N型杂质。把此N型杂质退火以形成一个比N型源或漏区为深的N型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此N型源或漏区。