公开(公告)号：CN117730422A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280047398.7

申请日：2022-06-30

Applicant: 株式会社小糸制作所

Inventor： 金冈宏明 ,  野村明宏

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/32 ,  H01L33/08

Abstract: 一种半导体发光元件，其具备：生长基板(11)、形成于生长基板(11)上的多个柱状半导体层(13、14)、以及覆盖多个柱状半导体层(13、14)的埋入层(16)，多个柱状半导体层(13、14)各自具有：位于中心的n型纳米线层(13)、和位于比n型纳米线层(13)靠外周的活性层(14)，在柱状半导体层(13、14)和柱状半导体层(13、14)之间的埋入层(16)、和生长基板(11)之间具备空隙(17)。

公开(公告)号：CN117616591A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047824.7

申请日：2022-06-30

Applicant: 株式会社小糸制作所

Inventor： 金冈宏明 ,  野村明宏

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件(10)，其具备：生长基板(11)、形成于生长基板(11)上的多个柱状半导体层(14～16)、以及覆盖柱状半导体层(14～16)而形成的埋入层(18)，在柱状半导体层(14～16)的侧面形成有对来自柱状半导体层(14～16)的光的至少一部分进行反射的侧面反射部(17)。