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公开(公告)号：CN100570826C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积%到5体积%的区域(11)；以及有机材料(10)。
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公开(公告)号：CN1519894A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积％到5体积％的区域(11)；以及有机材料(10)。
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公开(公告)号：CN100548576C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410045172.7
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
Abstract: 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其具有优良清除率和能够抛光以获得优良平面性。这种抛光垫包含：(A)70-99.9质量%的交联二烯弹性体和(B)0.1-30质量%的含有酸酐结构的聚合物，以上述化合物(A)和(B)总量为100质量%计，并且其比重为0.9-1.2。
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公开(公告)号：CN100492597C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN03140681.5
申请日：2003-06-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫，其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位，该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下，用于化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN100398598C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN03154996.9
申请日：2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/28 , C08L9/00 , C08L23/0853 , C08L2666/06 , C08L2666/08
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯-醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2-聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1539598A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410043041.5
申请日：2004-04-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种抛光垫和一种生产该抛光垫的方法，该抛光垫在抛光过程中甚至在磨光后，显示出优异的抛光稳定性和优异的浆液保持性，能够有效地防止抛光速率的减少，并且对于待抛光基质来说，也具有优异的压平性能。该方法包含将水溶性微粒如β－环糊精分散到交联剂如聚丙烯乙二醇中，以获得分散体，将分散体与多异氰酸酯如4，4‘－二苯基甲烷二异氰酸酯和或末端为异氰酸酯的尿烷预聚物混合，使混合溶液反应，以获得具有水溶性微粒分散在聚合物基质中的抛光垫。
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公开(公告)号：CN100579727C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200410043041.5
申请日：2004-04-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种抛光垫和一种生产该抛光垫的方法，该抛光垫在抛光过程中甚至在磨光后，显示出优异的抛光稳定性和优异的浆液保持性，能够有效地防止抛光速率的减少，并且对于待抛光基质来说，也具有优异的压平性能。该方法包含将水溶性微粒如β-环糊精分散到交联剂如聚丙烯乙二醇中，以获得分散体，将分散体与多异氰酸酯如4，4‘-二苯基甲烷二异氰酸酯和/或末端为异氰酸酯的尿烷预聚物混合，使混合溶液反应，以获得具有水溶性微粒分散在聚合物基质中的抛光垫。
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公开(公告)号：CN100443263C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200310120349.0
申请日：2003-11-05
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/32 , B24D3/344 , C09K3/1436
Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料，该材料含有交联聚合物如交联的1，2-聚丁二烯，和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1-10重量%，当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05-50重量%。另外，在本发明所涉及的抛光垫中，水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1-10重量%，并且在25℃，pH值为3-11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50%以内。另外，这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液，该抛光垫具有良好的浆液保留能力，同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平整度。
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公开(公告)号：CN1569398A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410038714.8
申请日：2004-04-22
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 一种研磨垫，一种层合研磨垫以及半导体晶片抛光方法，它们都防止浆料从研磨基材和窗口元件之间的间隙中泄漏和因刮伤而造成的抛光效率降低，并能有效进行抛光终点光学检测。该研磨垫包含具有从前侧延伸向背侧的通孔的研磨基材以及安置于该通孔中的光透射元件，并且上述光透射元件的外壁和与该外壁相对的通孔的内壁用可光固化粘合剂(如聚氨酯(甲基)丙烯酸酯)粘合在一起，以在通孔中固定上述光透射元件。
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公开(公告)号：CN100486770C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200510068474.0
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24D18/0009
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫，其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件，且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面，可不降低研磨性能地透过终点检测用光。
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