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公开(公告)号:CN1356749A
公开(公告)日:2002-07-03
申请号:CN01130390.5
申请日:2001-11-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425
Abstract: 课题是防止半导体激光器的端面保护膜的剥离。解决方法是采用在p型InGaAlP刻蚀阻挡层5上边,加上p型InGaAlP脊条型光波导层6,形成p型InGaAlP脊条6a的办法,在光波导部分隆起13的两侧形成光非波导部分隆起13a。