公开(公告)号：CN1577863A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410003750.0

申请日：2004-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹渕政孝 ,  荒井史隆

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/112 ,  H01L27/1122 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11546

Abstract: 本发明公开了含有非易失性存储器的半导体器件。倘采用该半导体器件，则把第2栅极电极膜用做逻辑电路的栅极电极膜和非易失性存储器的控制栅极电极膜。该构造在第2栅极电极膜形成后的热处理比较少，更适合于构成逻辑电路的晶体管的微细化。

公开(公告)号：CN100339997C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410003750.0

申请日：2004-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹渕政孝 ,  荒井史隆

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/112 ,  H01L27/1122 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11546

Abstract: 本发明公开了含有非易失性存储器的半导体器件。倘采用该半导体器件，则把第2栅极电极膜用做逻辑电路的栅极电极膜和非易失性存储器的控制栅极电极膜。该构造在第2栅极电极膜形成后的热处理比较少，更适合于构成逻辑电路的晶体管的微细化。