公开(公告)号：CN102638188A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210031281.8

申请日：2012-02-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泷本和靖 ,  饼川宏 ,  中泽洋介 ,  田井裕通 ,  葛卷淳彦

IPC: H02M7/48

CPC classification number: H03K17/168 ,  H02M7/797 ,  H02M2001/342 ,  H03K17/08148 ,  Y02B70/1491

Abstract: 一种半导体开关(7)，具备：具有开关元件(1)以及反向并联二极管(2)的主元件(3)、和反向电压施加电路(6)。上述反向电压施加电路(6)具有辅助电源(12)、高速回流二极管(4)、辅助元件(5)、和电容器(13)。上述高速回流二极管(4)由串联连接的多个二极管(15)形成。

公开(公告)号：CN110050341A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075662.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 泷本和靖 ,  市仓优太 ,  大部利春 ,  伊东弘晃 ,  渡边尚威 ,  田多伸光 ,  山成真辉 ,  平塚大祐 ,  关谷洋纪 ,  久里裕二 ,  饭尾尚隆 ,  松村仁嗣

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L25/18

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。

公开(公告)号：CN102647075A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210034408.1

申请日：2012-02-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泷本和靖 ,  饼川宏 ,  中泽洋介 ,  葛卷淳彦

IPC: H02M1/088 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H03K17/168 ,  H03K17/08148

Abstract: 一种半导体装置(D)，包括半导体电路(22)和电源(9)。上述半导体电路(22)具备：主元件(3)，具有开关元件(1)及反向并联二极管(2)；反向电压施加电路(7)，具有高速回流二极管(4)、电容器(6)和辅助元件(5)；主元件驱动电路(13)；以及辅助元件驱动电路(14)。上述电源(9)并联连接在上述电容器(6)上，并连接在上述主元件驱动电路(13)及辅助元件驱动电路(14)上，对上述电容器(6)、主元件驱动电路(13)及辅助元件驱动电路(14)供给电力，电压值比上述主元件(3)的耐受电压低。

公开(公告)号：CN102368685A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201110175092.3

申请日：2011-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泷本和靖 ,  田井裕通 ,  饼川宏 ,  松下晃久

IPC: H03K17/78

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01L2224/49111 ,  H03K17/0814 ,  H03K17/74

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体开关包括第一元件，所述第一元件包括切换元件和反并联二极管。所述切换元件具有击穿电压并且耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有比所述第一元件的击穿电压低的击穿电压的第二元件。所述第二元件耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有基本上与所述第一元件的击穿电压类似的击穿电压的反激式二极管。所述第一元件的负电极连接到所述第二元件的负电极并且所述反激式二极管并联连接在所述第一元件的正端子和所述第二元件的正端子之间。用于所述第一元件的所述控制端子以及用于所述第二元件的所述控制端子彼此独立地耦合到一个或者多个控制电路。

公开(公告)号：CN110050341B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201780075662.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 泷本和靖 ,  市仓优太 ,  大部利春 ,  伊东弘晃 ,  渡边尚威 ,  田多伸光 ,  山成真辉 ,  平塚大祐 ,  关谷洋纪 ,  久里裕二 ,  饭尾尚隆 ,  松村仁嗣

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/492 ,  H01L25/18 ,  H01L23/367

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。

公开(公告)号：CN102368685B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110175092.3

申请日：2011-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泷本和靖 ,  田井裕通 ,  饼川宏 ,  松下晃久

IPC: H03K17/78

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01L2224/49111 ,  H03K17/0814 ,  H03K17/74

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体开关包括第一元件，所述第一元件包括切换元件和反并联二极管。所述切换元件具有击穿电压并且耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有比所述第一元件的击穿电压低的击穿电压的第二元件。所述第二元件耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有基本上与所述第一元件的击穿电压类似的击穿电压的反激式二极管。所述第一元件的负电极连接到所述第二元件的负电极并且所述反激式二极管并联连接在所述第一元件的正端子和所述第二元件的正端子之间。用于所述第一元件的所述控制端子以及用于所述第二元件的所述控制端子彼此独立地耦合到一个或者多个控制电路。