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公开(公告)号：CN104458788A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410068978.1
申请日：2014-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N25/00
CPC classification number: G01N25/72 , G01R31/311
Abstract: 一种半导体装置的检查方法，具备：边对将半导体元件和基板以包含金属微颗粒的接合件进行了接合的半导体装置进行加热、边随时间推移地取得所述半导体装置中的热分布的图像数据的工序；基于所述图像数据，求出分形维数的时间变化的工序；求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序；以及对所述斜率与预先设定的基准的斜率进行比较来判定所述半导体装置的好坏的工序。
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