公开(公告)号：CN106756169A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611146152.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 山本慎一 ,  中野佳代 ,  堀江宏道 ,  佐野孝 ,  南淑子 ,  山口悟

IPC: C22C1/05 ,  C22C27/04 ,  C22C32/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F3/1007 ,  C22C1/045 ,  C22C43/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfC换算计的含有HfC的Hf成分。

公开(公告)号：CN103998635A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062477.1

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 山本慎一 ,  中野佳代 ,  堀江宏道 ,  佐野孝 ,  南淑子 ,  山口悟

IPC: C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F3/1007 ,  C22C1/045 ,  C22C43/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfC换算计的含有HfC的Hf成分。

公开(公告)号：CN103998635B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201280062477.1

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 山本慎一 ,  中野佳代 ,  堀江宏道 ,  佐野孝 ,  南淑子 ,  山口悟

IPC: C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F3/1007 ,  C22C1/045 ,  C22C43/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfC换算计的含有HfC的Hf成分。

公开(公告)号：CN1256744C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN03153054.0

申请日：2003-08-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  草野贵史 ,  山本敦史 ,  南淑子 ,  本间三孝

IPC: H01H33/664 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明通过使Cu-W合金或Cu-WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量%的Cu形成的导电性成分相和50～90重量%的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1-T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1-T2)×100%/(T1)]在2.8%以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。

公开(公告)号：CN106756169B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201611146152.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 山本慎一 ,  中野佳代 ,  堀江宏道 ,  佐野孝 ,  南淑子 ,  山口悟

IPC: C22C1/05 ,  C22C27/04 ,  C22C32/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F3/1007 ,  C22C1/045 ,  C22C43/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfC换算计的含有HfC的Hf成分。

公开(公告)号：CN1485870A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03153054.0

申请日：2003-08-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  草野贵史 ,  山本敦史 ,  南淑子 ,  本间三孝

IPC: H01H33/664 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明通过使Cu－W合金或Cu－WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量％的Cu形成的导电性成分相和50～90重量％的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1－T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1－T2)×100/(T1)]在2.8％以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。