公开(公告)号：CN101151702B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680010656.5

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显 ,  久我浩司 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244

Abstract: 在等离子体处理设备中，在下电极(3)和上电极(4)之间的等离子体发生空间(A)中产生等离子体，使得在下电极(3)上安装的处理对象(W)受到等离子体处理，多个剪切部分(S)用于吸收由于等离子体处理时的迅速温升导致的热膨胀引起的应力，并以等间距形成在上电极(4)所包括的气体喷头盘(43)的外边缘部分中。因此，可以防止气体喷头盘免于由于在所述气体喷头盘等的外部边缘部分中出现裂缝引起的损坏。

公开(公告)号：CN101151702A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010656.5

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显 ,  久我浩司 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244

Abstract: 在等离子体处理设备中，在下电极(3)和上电极(4)之间的等离子体发生空间(A)中产生等离子体，使得在下电极(3)上安装的处理对象(W)受到等离子体处理，多个剪切部分(S)用于吸收由于等离子体处理时的迅速温升导致的热膨胀引起的应力，并以等间距形成在上电极(4)所包括的气体喷头盘(43)的外边缘部分中。因此，可以防止气体喷头盘免于由于在所述气体喷头盘等的外部边缘部分中出现裂缝引起的损坏。