公开(公告)号：CN1553505A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03138274.6

申请日：2003-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西迫亨成 ,  石山裕浩 ,  小谷久和

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。本发明的第1半导体装置由管心垫片1，母芯片2，子芯片3，在子芯片3的背面上所形成的导体膜7，垫片4，引线5，以及连接线6构成。导体膜7经由连接线6、引线5与外部的构件连接。因此，使基片电位稳定化。另外，导体膜7具有高导热率和低电阻，因此能提高半导体装置的散热性能，又能抑制辐射噪声的辐射。

公开(公告)号：CN101110413A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710141642.3

申请日：2003-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西迫亨成 ,  石山裕浩 ,  小谷久和

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备第1半导体芯片；第2半导体芯片，使其主面向下被装载在上述第1半导体芯片的上面；检查用构件，其与上述第1、第2半导体芯片两者电连接，在俯视下，其一部分位于上述第2半导体芯片的内侧，另一部分位于上述第2半导体芯片的外部。