公开(公告)号：CN101741010A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910204220.5

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 薮下智仁 ,  川口靖利 ,  上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明在GaN基板上形成平坦性及结晶性优越的III族氮化物系半导体层，得到接近高斯形状的垂直FFP形状。氮化物半导体激光装置具有层叠结构体(120)，该层叠结构体(120)包括：包括n型GaN的基板(101)；在基板(101)的主面上与该主面相接而形成的包括AlxGa1-xN(其中，x为0＜x＜1)的n型包覆层(102)；在该n型包覆层(102)上形成的MQW活性层(104)；在该MQW活性层(104)上形成的p型包覆层(107)。基板(101)的主面相对于面方位的(0001)面以0.35°以上且0.7°以下的范围倾斜。另外，构成n型包覆层(102)的AlxGa1-xN中的Al组成x为0.025以上且0.04以下。