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公开(公告)号：CN1305187C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03802320.2
申请日：2003-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN100349341C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200480007918.3
申请日：2004-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/2205 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。
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公开(公告)号：CN101124704A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680005368.0
申请日：2006-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01S5/0207 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该装置具备：n型GaN衬底(10)、形成于n型GaN衬底(10)的主面上并包含p型区域及n型区域的半导体叠层结构(100)、与半导体叠层结构(100)所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)、设在n型GaN衬底(10)的背面上的n侧电极(34)，n型GaN衬底的背面包含氮面，其背面和n侧电极(34)的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。
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公开(公告)号：CN1277339C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN02821679.2
申请日：2002-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1039 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板(21)的主表面上生长第一氮化物系III-V族化合物半导体层(22)的工序；在第一氮化物系III-V族化合物半导体层上以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有不同宽度的第一幅度部和第二幅度部的条纹状的掩膜(23)的工序；为覆盖在掩膜和第一氮化物系III-V族化合物半导体层的表面的掩膜之间露出的部分而从该露出部分选择性生长第二氮化物系III-V族化合物半导体层(25)的工序；以及在第二氮化物系III-V族化合物半导体层上实质上叠层包括在掩膜的延长方向上延长的有源层的半导体激光器结构(26～33)，由此，在掩膜的第一幅度部(条纹1)和第二幅度部(条纹2)的边界上的部位中获得具有对应于第一幅度部和第二幅度部的宽度差的叠层段差(301)的半导体激光器结构的工序。
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公开(公告)号：CN1168147C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00100243.0
申请日：2000-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L27/04 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , C30B29/02
CPC classification number: H01L29/165 , C30B23/02 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/1054 , H01L29/155
Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0＜x＜1)和Si1-yCy层(0＜y＜1)层叠成多层，以形成能起到单一的SiGeC层的作用的Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体。这样，可获得排除Ge-C键的SiGeC三元混晶体。在形成Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体的方法中，有交替地使Si1-xGex层和Si1-yCy层外延生长的方法以及在形成Si/Si1-xGex短周期超晶格体之后，注入C离子，再通过热处理，以使C原子移到Si层中的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101496236A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028446.3
申请日：2007-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN基板(1)；配置在GaN基板(1)的主面上的叠层构造体(10)；形成在叠层构造体(10)上的p电极(17)；和实质覆盖整个GaN基板(1)背面的第一n电极(18)；和配置在第一n电极(18)上，使第一n电极(18)的周边部的至少一部分露出的第二n电极(20)。
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公开(公告)号：CN101356701A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050923.1
申请日：2006-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 本发明的氮化物半导体器件，包括：n－GaN基板(10)，形成在n－GaN基板(10)的主面上的、包含p型区和n型区及其之间的有源层的半导体叠层结构。在半导体叠层结构上面处形成具有开口部的SiO2层(30)和与半导体叠层结构中所包含的p型区域的一部分相接触的p侧电极，在基板(10)的背面处形成n侧电极(36)。p侧电极包含与p型区的一部分相接触的p侧接触电极(2)和覆盖p侧接触电极(2)及SiO2层(30)的p侧布线电极(34)，p侧接触电极(32)的一部分自p侧布线电极(34)露出。
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公开(公告)号：CN1618154A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03802320.2
申请日：2003-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN100362710C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200480002182.0
申请日：2004-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1765036A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480007918.3
申请日：2004-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/2205 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。
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