晶体振荡电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1698262A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200480000041.5

    申请日:2004-03-03

    Inventor: 立山雄一

    CPC classification number: H03B5/06 H03B5/36 H03K3/0307

    Abstract: 本发明的一个目的是得到具有低相位噪声的稳定工作。此外,本发明的另一个目的是得到一个不会引起启动时间延迟的振荡输出。根据本发明,可能实施这样的一个晶体振荡电路,该电路能够把由反馈电路(5)反馈晶体振荡元件(10)的振荡输出而得到的信号叠加在控制信号上,以便选择负载电容选择部分(3)的负载电容,并且能使控制信号的电压噪声难于对MOS晶体管(50)产生影响,从而能减少相位噪声,并进而在启动时的一段时间内限制要输入到负载电容选择部分(3)中的控制信号,并在短时间内进行启动。

    压控振荡器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1980052A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:CN200610164270.1

    申请日:2006-12-07

    CPC classification number: H03B5/366

    Abstract: 为提供能够与温度补偿控制信号和外部电压频率控制信号无关地控制MOS晶体管阈值电压、同时在不减小频率可变范围的情况下确保线性并减小振荡器尺寸的压控振荡器,该压控振荡器包括放大器、压电振动器、以及被布置在压电振动器的两端之间的作为负载电容器的第一负载电容器和第二负载电容器,其中,作为第一负载电容器提供的电容器包括其电容相对于输入电压具有较小改变的可变电容器,并且,作为第二负载电容器提供的电容器包括其电容相对于输入电压具有较大改变的可变电容器。这使得有可能任意确定温度补偿控制电路和外部电压频率控制电路的输出偏压。

    金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器

    公开(公告)号:CN1829074A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200610054962.0

    申请日:2006-02-27

    CPC classification number: H03B5/368

    Abstract: 提供了一种MOS变容器,其中振荡频率变化较小,且电容改变电压的变化较小,并且提供了使用所述MOS变容器的压控振荡器,连接了可变静电电容器,作为包括反馈电阻器(1)、放大器(2)和晶体振动器(3)的振荡电路的负载电容器,所述可变静电电容器是在MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的漏极/源极端子和栅极端子之间产生的,所述MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的源极和漏极端子短路。MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电阻器(19)的一个端子,电压被施加到电阻器(19)的另一端子,MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电容器(20)的一个端子,并且电容器(20)的另一个端子接地。

    压控振荡器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1758530B

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN200510108449.0

    申请日:2005-10-08

    Inventor: 立山雄一

    CPC classification number: H03B5/04 H03B5/366

    Abstract: 通过反馈电阻(1)、放大器(2)和石英振动器(3)构成的振荡器电路具有负荷电阻。在源极和漏极端被短路的MOS晶体管(5、6)具有在源极-漏极端(source-drain terminal)和栅极端之间产生的、作为可变电容的电容。在石英振动器(3)的一个和其它端子以及交流地端子(AC ground terminal)之间配置了DC截断电容(8、9)和可变电容(MOS晶体管(5、6))的串联。例如,用于MOS晶体管(5、6)的门限电压控制信号通过高频去除电路(10、11)被输入到源极-漏极端。同时,向栅极端输入温度补偿控制信号和外部电压频率控制信号被叠加在一起的信号。这使得也可能按照期望来确定到温度补偿控制电路和外部电压频率控制电路的输出偏压。

    半导体器件以及使用该器件的晶体振荡器

    公开(公告)号:CN100533735C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200510113713.X

    申请日:2005-10-14

    Inventor: 立山雄一

    CPC classification number: H01L29/94 H03B5/366 H03B2200/0012

    Abstract: 提供了一种小巧的半导体器件,该半导体器件形成了能够获得良好的电容变化的用于高频的电容元件。还提供了一种MOS电容器型半导体器件,该器件包括:通过栅极绝缘膜形成在衬底表面上的栅电极,设置成其间具有所述栅电极的源极/漏极区,以及包括用于接触衬底的接触扩散区的背栅。调整施加在源极或漏极区与栅电极之间的区域上或者施加在栅电极与背栅之间的区域上的电压,使得能够调整累积在栅极绝缘膜处的电荷。在该器件中,确定源极区与漏极区之间的距离或者背栅与栅电极之间的距离,使得在所施加的电压的一个周期内,电子或空穴能够累积在栅极绝缘膜与衬底之间的界面处。

    半导体器件以及使用该器件的晶体振荡器

    公开(公告)号:CN1761061A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN200510113713.X

    申请日:2005-10-14

    Inventor: 立山雄一

    CPC classification number: H01L29/94 H03B5/366 H03B2200/0012

    Abstract: 提供了一种小巧的半导体器件,该半导体器件形成了能够获得良好的电容变化的用于高频的电容元件。还提供了一种MOS电容器型半导体器件,该器件包括:通过栅极绝缘膜形成在衬底表面上的栅电极,设置成其间具有所述栅电极的源极/漏极区,以及包括用于接触衬底的接触扩散区的背栅。调整施加在源极或漏极区与栅电极之间的区域上或者施加在栅电极与背栅之间的区域上的电压,使得能够调整累积在栅极绝缘膜处的电荷。在该器件中,确定源极区与漏极区之间的距离或者背栅与栅电极之间的距离,使得在所施加的电压的一个周期内,电子或空穴能够累积在栅极绝缘膜与衬底之间的界面处。

    压控振荡器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1758530A

    公开(公告)日:2006-04-12

    申请号:CN200510108449.0

    申请日:2005-10-08

    Inventor: 立山雄一

    CPC classification number: H03B5/04 H03B5/366

    Abstract: 通过反馈电阻(1)、放大器(2)和石英振动器(3)构成的振荡器电路具有负荷电阻。在源极和漏极端被短路的MOS晶体管(5、6)具有在源极-漏极端(source-drain terminal)和栅极端之间产生的、作为可变电容的电容。在石英振动器(3)的一个和其它端子以及交流地端子(AC ground terminal)之间配置了DC截断电容(8、9)和可变电容(MOS晶体管(5、6))的串联。例如,用于MOS晶体管(5、6)的门限电压控制信号通过高频去除电路(10、11)被输入到源极-漏极端。同时,向栅极端输入温度补偿控制信号和外部电压频率控制信号被叠加在一起的信号。这使得也可能按照期望来确定到温度补偿控制电路和外部电压频率控制电路的输出偏压。

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