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公开(公告)号：CN1716777A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510091310.X
申请日：2005-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/693 , H04B1/40
CPC classification number: H03K17/693
Abstract: 利用由肖特基接合方式制成的多个二极管，在形成开关用的和用于确保绝缘性的MESFET的化合物半导体基板上一体地形成能够选择多个控制电压输入端子的电压较高一方的二极管逻辑电路。接着，利用多个控制电压输入端子来控制开关用的MESFET，通过从二极管逻辑电路输出的OR电压来控制用于确保绝缘性的MFSFET。
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公开(公告)号：CN1581484A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055996.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。
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公开(公告)号：CN1565087A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN03801215.4
申请日：2003-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H04W52/029 , H04B1/1615 , H04B1/44 , H04B1/48 , H04W52/0274 , Y02D70/1222 , Y02D70/40
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够削减消耗电流的天线开关半导体集成电路。为此，在施加于控制多个开关用FET的开－关的逻辑电路上的2个控制输入信号中，将发送模式与接收模式进行转换的控制输入信号输入到振荡电路中，仅仅在逻辑电路中需要高电压的发送模式时，才使振荡电路工作。据此，使升压电路工作，将升压了的电压供给逻辑电路。在接收模式时，使振荡电路停止工作，据此，使升压电路停止工作。而且，通过用逻辑电路使开关导通，在升压电路停止工作时将电源电压直接供给逻辑电路。因此，升压电路的工作期间缩短，能够削减消耗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866707A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084786.5
申请日：2006-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 来自于升压处理部分20的输出电压Vout被电阻41和42分压，并且将所得到的分压出的输出电压Va输入到比较器45的两个输入端子的其中一个。将通过利用电阻43和44对电压Vcc进行分压所获得的参考电压Vb输入到比较器45的另一输入端子。比较器45将分压出的输出电压Va与参考电压Vb进行比较，并且当分压出的输出电压Va较低时，输出High电压，而当分压出的输出电压Va较高时，输出Low电压。由此，当输出电压Vout不超过利用参考电压Vb确定的阈值时，信号振荡部分10以射频(N型CMOS FET 18处于OFF状态)执行振荡，而当输出电压Vout超出阈值时以低频率(N型CMOSFET 18处于ON状态)执行振荡。
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公开(公告)号：CN1538621A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410036884.2
申请日：2004-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/284
CPC classification number: H03K17/687 , H03J2200/29
Abstract: 使5个电阻的一端分别与串联连接的4个耗尽型FET的两端和中点连接，对5个电阻的另一端施加规定的电压。由此，固定4个FET的源漏电位。通过固定各FET的源漏电位，对各FET的栅源之间稳定地施加用于使各FET导通的偏置电压，可靠地进行FET的通断切换。
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公开(公告)号：CN100409585C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03801215.4
申请日：2003-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H04W52/029 , H04B1/1615 , H04B1/44 , H04B1/48 , H04W52/0274 , Y02D70/1222 , Y02D70/40
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够削减消耗电流的天线开关半导体集成电路。为此，在施加于控制多个开关用FET的开-关的逻辑电路上的2个控制输入信号中，将发送模式与接收模式进行转换的控制输入信号输入到振荡电路中，仅仅在逻辑电路中需要高电压的发送模式时，才使振荡电路工作。据此，使升压电路工作，将升压了的电压供给逻辑电路。在接收模式时，使振荡电路停止工作，据此，使升压电路停止工作。而且，通过用逻辑电路使开关导通，在升压电路停止工作时将电源电压直接供给逻辑电路。因此，升压电路的工作期间缩短，能够削减消耗电流。
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公开(公告)号：CN100377350C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410055996.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。
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公开(公告)号：CN1311631C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410036884.2
申请日：2004-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/284
Abstract: 使5个电阻的一端分别与串联连接的4个耗尽型FET的两端和中点连接，对5个电阻的另一端施加规定的电压。由此，固定4个FET的源漏电位。通过固定各FET的源漏电位，对各FET的栅源之间稳定地施加用于使各FET导通的偏置电压，可靠地进行FET的通断切换。
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