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公开(公告)号:CN102844835A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201180015618.X
申请日:2011-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备放电空间、和与放电空间相对置的保护层的等离子显示面板的制造方法。通过向所述放电空间导入包含还原性有机气体的气体,从而使保护层暴露在还原性有机气体中。接着,从放电空间排出还原性有机气体。接着,向放电空间封入放电气体。保护层具有由金属氧化物的纳米结晶粒子形成的纳米粒子层,该金属氧化物至少包含第1金属氧化物和第2金属氧化物。并且,纳米粒子层在X射线衍射分析中至少具有一个峰值。该峰值位于第1金属氧化物在X射线衍射分析中的第1峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值及第2峰值表示与该峰值示出的面方位相同的面方位。
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公开(公告)号:CN102365702A
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN201180001558.6
申请日:2011-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , H01J11/12 , H01J2211/40
Abstract: 一种等离子显示面板,其具备前面板、与前面板对置配置的背面板。前面板具有显示电极、覆盖显示电极的电介质层、覆盖电介质层的保护层。保护层通过波长为146nm的光的照射,具有350nm以上且550nm以下的波长范围内的发光峰值。再有,保护层通过波长为173nm的光的照射,具有350nm以上且550nm以下的波长范围内的发光峰值。照射波长为146nm的光时的发光峰值强度与照射波长为173nm的光时的发光峰值强度之比(A/B)大于3.0,且在7.0以下。
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公开(公告)号:CN102822935A
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201180015878.7
申请日:2011-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J9/26 , H01J9/38 , H01J2211/12 , H01J2211/40
Abstract: 本发明提供一种具有放电空间和面向放电空间的保护层的等离子显示面板的制造方法。通过向所述放电空间导入包含还原性有机气体的气体,从而使保护层暴露在还原性有机气体中。接着,从放电空间中排出还原性有机气体。接着,将放电气体封入放电空间。保护层至少包含第1金属氧化物与第2金属氧化物。进而,保护层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第1金属氧化物的X射线衍射分析中的第1峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值及第2峰值表示与所述峰值所表示的面方位相同的面方位。
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公开(公告)号:CN102812532A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201180015624.5
申请日:2011-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J9/38 , H01J2211/12 , H01J2211/40
Abstract: 本发明提供一种具备放电空间、和与放电空间相对置的保护层的等离子显示面板的制造方法。通过向所述放电空间导入包含还原性有机气体的气体,从而使保护层暴露在还原性有机气体中。接着,从放电空间排出还原性有机气体。接着,向放电空间封入放电气体。保护层具有由氧化镁构成的基底膜、和分散配置在基底膜上的多个金属氧化物粒子。金属氧化物粒子至少包含第1金属氧化物和第2金属氧化物。并且,金属氧化物粒子在X射线衍射分析中至少具有一个峰值。该峰值位于第1金属氧化物在X射线衍射分析中的第1峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值及第2峰值表示与该峰值示出的面方位相同的面方位。
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公开(公告)号:CN102473567A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201180002310.1
申请日:2011-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , H01J11/12 , H01J2211/40
Abstract: 本发明提供一种等离子显示面板的制造方法,该等离子显示面板具有放电空间以及与放电空间面对的保护层。通过向放电空间导入包含还原性有机气体在内的气体,从而将保护层暴露在还原性有机气体中。接着,从放电空间排出还原性有机气体。然后,将放电气体封入放电空间内。
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