公开(公告)号：CN1107342C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97192931.9

申请日：1997-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大国充弘 ,  久吴俊介 ,  佐佐木智幸 ,  立岩健二 ,  二河秀夫

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种图案形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后，在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂图案(15)，以抗蚀剂图案(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻、形成防反射膜图案，用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂图案形成的图案形成方法。

公开(公告)号：CN1738026A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510092628.X

申请日：2005-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  大国充弘 ,  吉田弘

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108

Abstract: 一种电介质存储器，包括：第1下部电极(12)、具有到达第2下部电极(14b)的上面的开口部(13h)的第1绝缘膜(13)、在开口部(13h)的壁部形成的第2下部电极(14b)、在第1下部电极(12)之上及第2下部电极(14b)之上不埋入孔地形成的电容绝缘膜(15)、以及在电容绝缘膜(15)之上形的上部电极(16)。对于开口部(13h)的壁部而言，第2下部电极(14)的壁厚，其下方比开口部的壁部的上方厚。从而提供包括阶差被覆性优异的电容绝缘膜，而且具有能够实现细小化的结构的介质存储器。

公开(公告)号：CN1213456A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN97192931.9

申请日：1997-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大国充弘 ,  久吴俊介 ,  佐佐木智幸 ,  立岩健二 ,  二河秀夫

IPC: H01L21/302 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种模样形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后,在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂模样(15),以抗蚀剂模样(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻、形成防反射膜模样,用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂模样形成的模样形成方法。