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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1271767C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410032116.X
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN1533002A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410032116.X
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN1316123A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN99810355.1
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30 , H01S5/323 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先,将衬底温度升高到1020℃,在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着,停止Ⅲ族原料气体供给,将衬底温度降低到780℃,与此同时将运载气体由氢气更换为氮气,然后选择性导入Ⅴ族源NH3、Ⅲ族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN1170347C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN99810355.1
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30 , H01S5/323 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN1233824A
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN99105732.5
申请日：1999-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/005 , G11B7/128 , G11B7/135 , G11B7/1369 , G11B11/10515 , G11B11/10543
Abstract: 本发明为一种光盘的记录再生方法及光盘记录再生装置。在半导体激光元件12和光盘11之间设置有把来自半导体激光元件12的激光转变成平行光的准直透镜13、把通过了准直透镜13的平行光衰减的液晶遮光体14以及把来自光盘11的反射光分路的光束分离器15,还设置有把通过准直透镜13得到的平行光聚集到光盘11的数据保持面上的聚光透镜16。这样,即便使用短波长(短于400nm)的半导体激光元件进行光盘的记录及再生时,也可防止散焦现象。
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