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公开(公告)号：CN101542447A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780043286.X
申请日：2007-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/0643 , G06F3/0619 , G06F3/0679
Abstract: 在访问装置(1)内设置从一次写入记录装置(2A)中获取一次写入存储器上的剩余容量信息的逻辑/物理空余容量管理部(16)。另外，在一次写入记录装置(2A)内设置管理一次写入存储器上的剩余容量并通知访问装置的物理空余容量管理部(27)。访问装置(1)在记录文件数据之前，从一次写入记录装置(2A)获取一次写入存储器的剩余容量，并与FAT上的剩余容量进行比较，决定实际上可记录文件数据的剩余容量，从而能够掌握一次写入记录装置的正确的剩余容量。
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公开(公告)号：CN100422955C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480008606.4
申请日：2004-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/06 , G06F2212/2022
Abstract: 将控制器(102)和4个闪速存储器(F0～F3)的各2个连接到2条存储器总线上，将各闪速存储器分割为大致相等的大小的区域，形成前后半区域。在4存储器结构时，以每个规定的大小区分由主机指定的连续逻辑地址，按下述顺序以重复巡回F0、F1、F2、F3的形式进行写入。在2存储器结构时，以重复巡回F00、F10、F01、F11的形式进行写入。这样，与连接到控制器上的闪速存储器的数目无关地谋求控制器处理的共用化。
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公开(公告)号：CN101185067A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680017750.3
申请日：2006-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器，其能够避免在正常动作时由于地址管理表的写回处理所引起的存取速度下降，并且能够缩短在存储器卡初始化时地址管理表的生成时间。存储器控制器(114)具有，暂时存储地址管理表(112)的读写存储器(113)；存储器控制部(122)，在数据的写入目标的物理块从某地址范围切换到其它地址范围时，其向非易失性存储器(115)写入读写存储器中暂时存储的地址管理表和用于将切换后的地址范围特定下来的地址范围确定信息；以及地址管理表生成部(107)，在初始化时基于地址范围确定信息，读取在特定的地址范围内中包含的、用于管理物理块的状态的分布管理信息，并基于读取的分布管理信息生成地址管理表(112)。
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公开(公告)号：CN100371873C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200480006833.3
申请日：2004-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0611 , G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , Y02D10/154
Abstract: 在半导体存储卡内设置主信息存储器，保持从访问装置提供的数据写入开始地址和数据尺寸。空物理区生成单元在根据数据写入开始地址和数据尺寸写入数据时，决定是否清除非易失性存储器的无效块以及所清除的块数。在清除的情况下，对于不同的存储器芯片同时执行数据写入和无效块的清除。由此，优化数据的清除处理，能够实现从访问装置对于半导体存储卡的高速访问。
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公开(公告)号：CN1875352A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032274.3
申请日：2004-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体存储卡之类的信息记录介质(110)能够以较小的访问单位来访问，具有设置了保存文件系统管理信息的第1记录区域(121)的第1半导体存储器(118)，与设置了以较大的访问单位进行访问，保存文件数据(文件的实体数据)的第2记录区域(122)的第2半导体存储器(119)，以及控制上述第1、第2半导体存储器的控制机构(112)。信息记录介质(110)在数据写入时，对应于数据种类选择第1及第2半导体存储器(118、119)的任一个的记录区域，在所选择的记录区域中写入数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1833229A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022531.5
申请日：2004-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0632 , G06F3/0679
Abstract: 本发明提供一种半导体存储卡、存取装置和存取方法。在半导体存储卡内设置卡信息存储部，保持关于半导体存储卡的存取条件或存取速度等的存取性能的信息。另外，存取装置从半导体存储卡取得保持的信息，以用于文件系统的控制中。由此，尽管所用的存储器的特性或管理方法不同，均可最佳化存取装置、半导体存储卡的处理，可从存取装置对半导体存储卡实现高速的存取。
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公开(公告)号：CN101542447B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200780043286.X
申请日：2007-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/0643 , G06F3/0619 , G06F3/0679
Abstract: 在访问装置(1)内设置从一次写入记录装置(2A)中获取一次写入存储器上的剩余容量信息的逻辑/物理空余容量管理部(16)。另外，在一次写入记录装置(2A)内设置管理一次写入存储器上的剩余容量并通知访问装置的物理空余容量管理部(27)。访问装置(1)在记录文件数据之前，从一次写入记录装置(2A)获取一次写入存储器的剩余容量，并与FAT上的剩余容量进行比较，决定实际上可记录文件数据的剩余容量，从而能够掌握一次写入记录装置的正确的剩余容量。
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公开(公告)号：CN101194238B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680020511.3
申请日：2006-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 本发明的存储单元使用的是保存多页数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器。当向非易失性存储器110写入数据时，构成成对的且以多页为单位的物理单元。当无法写入所有物理单元时，从保存着已写入的有效数据的旧物理块中复制数据，写入新物理块内，直至物理单元的写入完成为止。由此，当下一次要写入数据时，可从新的物理单元的起始开始写入，所以可防止出错。
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公开(公告)号：CN100590608C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200680017750.3
申请日：2006-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器，其能够避免在正常动作时由于地址管理表的写回处理所引起的存取速度下降，并且能够缩短在存储器卡初始化时地址管理表的生成时间。存储器控制器(114)具有，暂时存储地址管理表(112)的读写存储器(113)；存储器控制部(122)，在数据的写入目标的物理块从某地址范围切换到其它地址范围时，其向非易失性存储器(115)写入读写存储器中暂时存储的地址管理表和用于将切换后的地址范围特定下来的地址范围确定信息；以及地址管理表生成部(107)，在初始化时基于地址范围确定信息，读取在特定的地址范围内中包含的、用于管理物理块的状态的分布管理信息，并基于读取的分布管理信息生成地址管理表(112)。
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公开(公告)号：CN101578614A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001867.1
申请日：2008-01-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 由存取装置对非易失性存储装置存取时，非易失性存储装置或存取装置测出或算出非易失性存储装置的温度(T)。非易失性存储装置的温度适应型控制部基于温度(T)来控制对非易失性存储器的存取速率。而且，不使非易失性存储装置的温度(T)超过极限温度(Trisk)。从而，非易失性存储装置取出时无烫伤之危险，且能够构成可高速读写的非易失性存储系统。
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