-
公开(公告)号：CN103109373A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180041844.5
申请日：2011-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L29/66765 , H01L29/78606 , H01L29/78678
Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（10）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上，且在表面具有凸形状的沟道层（4）；形成于沟道层的凸形状之上，且包括含有硅、氧及碳的有机材料的沟道保护层（5）；界面层（6），形成于沟道层的凸形状的上面与沟道保护层之间的界面，含有碳作为主要成分，作为其主要成分的碳是来源于所述有机材料的碳；和源电极（8s）及漏电极（8d），沿着沟道保护层的端部的上部及侧部、与沟道保护层的侧部相连的界面层的侧部、与界面层的侧部相连的沟道层的凸形状的侧部、以及与沟道层的凸形状的侧部相连的沟道层的上部而形成。
-
公开(公告)号：CN103026492A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201280002085.6
申请日：2012-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP
-
公开(公告)号：CN102754212A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180001792.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78636 , H01L29/41733 , H01L29/66757 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种可得到充分的载流子迁移率的薄膜晶体管装置及其制造方法。将源电极(110)或漏电极(120)与硅层(130)及(140)层叠而成的膜厚是与将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚相同的相同值或相同值的邻域值的范围内的膜厚，将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域、以及源电极(110)及漏电极(120)的上方是相同膜厚，第1沟道层(150)和第2沟道层(160)沿着源电极(110)及漏电极(120)之间的形状在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域凹陷，栅电极(180)具有与源电极(110)及漏电极(120)重叠的区域。
-
公开(公告)号：CN102405527A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201080002214.2
申请日：2010-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/04 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置用薄膜半导体器件，具有：第一沟道层(130)，由多晶半导体层形成；第二沟道层(140)，由形成在第一沟道层(130)上的非晶半导体层形成，在表面具有凸形状；绝缘层(150)，形成在第二沟道层(140)的凸形状的上面；接触层(160)以及(161)，形成在绝缘层(150)的端部的上面及侧面、与绝缘层(150)的侧面相连的第二沟道层(140)的凸形状的侧面、以及与第二沟道层(140)的凸形状的侧面相连的第二沟道层(140)的上面；以及源电极(170)和漏电极(171)，接触层(160)以及(161)具有第一导电方式，第二沟道层(140)的凸形状的上部具有第二导电方式，由此能够使导通电流大幅度增加的同时使截止电流大幅度降低。
-
公开(公告)号：CN103257742B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310061964.2
申请日：2013-02-19
Applicant: 松下液晶显示器株式会社
IPC: G06F3/041 , G06F3/044 , G02F1/1333
CPC classification number: G09G3/3611 , G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种嵌入式触摸屏，具有：第1基板；第2基板，其具有沿第1方向延伸的扫描信号线及沿第2方向延伸的视频信号线、被扫描信号线及视频信号线划分出的多个像素、按每个所述像素经由与所述扫描信号线连接的开关元件而连接在所述视频信号线上的像素电极、以及公共电极；液晶层；施加电路，其向沿所述第1方向或所述第2方向配置的多个激励电极施加交变信号；检测电路，其对与所述激励电极相邻地配置的多个检测电极所激发的信号进行检测；以及扫描电路，其至少对所述多个激励电极和所述多个检测电极中的任一方至少沿所述第2方向进行扫描。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103155019B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180004126.0
申请日：2011-09-30
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 , 松下液晶显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列装置、EL显示面板、EL显示装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法以及EL显示面板的制造方法。薄膜晶体管阵列装置包括底栅型的第一晶体管和第二晶体管、钝化膜、层叠在钝化膜下的导电氧化物膜以及对与第一电极(42)同层的第一导电性部件(53)和EL层的第二导电性部件进行中继的中继电极(55)，第一布线(21)是相比于钝化膜配置于下层的布线，第二布线(22)是配置在钝化膜上的布线，在与第一电极(42)相同的层且基板的周缘部配置有被输入外部信号的端子部，导电氧化物膜覆盖端子部的上面，并且介于中继电极(55)与第一导电性部件(53)之间，中继电极(55)与第二布线(22)形成在同一层，由与第二布线(22)相同的材料形成。
-
公开(公告)号：CN103329275A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065194.8
申请日：2011-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78636
Abstract: 形成在栅极绝缘膜（3）上的半导体层（4）的带隙能量为1.6eV以下。形成在半导体层（4）上的绝缘层（5）具有：配置在比第1接触开口部（8）更靠外侧的位置的第1绝缘层区域（5a）、和配置在比第2接触开口部（9）更靠外侧的位置的第2绝缘层区域（5b）。第1绝缘层区域（5a）配置在栅电极（2）的一端部的上方，第2绝缘层区域（5b）配置在栅电极（2）的另一端部的上方。
-
公开(公告)号：CN103189990A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180004242.2
申请日：2011-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66765
Abstract: 本发明的薄膜半导体器件(10)的制造方法，包括：第一工序，准备基板(1)；第二工序，在基板(1)上形成栅电极(2)；第三工序，在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)作为第一绝缘膜；第四工序，在栅极绝缘膜(3)上形成成为沟道层(4)的非晶半导体薄膜(4a)；第五工序，在非晶半导体薄膜(4a)上形成沟道保护膜(5)作为第二绝缘膜；第六工序，通过对沟道保护膜(5)照射光线，提高沟道保护膜(5)的透射率；以及第七工序，在沟道层(4)的上方形成源电极(7S)以及漏电极(7D)。
-
公开(公告)号：CN103155019A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180004126.0
申请日：2011-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列装置、EL显示面板、EL显示装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法以及EL显示面板的制造方法。薄膜晶体管阵列装置包括底栅型的第一晶体管和第二晶体管、钝化膜、层叠在钝化膜下的导电氧化物膜以及对与第一电极(42)同层的第一导电性部件(53)和EL层的第二导电性部件进行中继的中继电极(55)，第一布线(21)是相比于钝化膜配置于下层的布线，第二布线(22)是配置在钝化膜上的布线，在与第一电极(42)相同的层且基板的周缘部配置有被输入外部信号的端子部，导电氧化物膜覆盖端子部的上面，并且介于中继电极(55)与第一导电性部件(53)之间，中继电极(55)与第二布线(22)形成在同一层，由与第二布线(22)相同的材料形成。
-
公开(公告)号：CN110476201A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880020498.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 松下液晶显示器株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09G3/20
Abstract: 显示装置包括：多个源极线；多个栅极线；源极驱动器；栅极驱动器；多个像素晶体管，所述多个像素晶体管与各所述源极线及各所述栅极线电连接；监视晶体管，所述监视晶体管的漏电极与第一外部端子电连接，栅电极与第二外部端子电连接，源电极与第三外部端子电连接；基准晶体管，所述基准晶体管的漏电极与第四外部端子电连接，栅电极与第五外部端子电连接，源电极与第六外部端子电连接；以及检测部，其与所述第三外部端子及所述第六外部端子电连接，用于检测所述监视晶体管的阈值电压的偏移量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.028 seconds)
