公开(公告)号：CN111670488A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201880088260.5

申请日：2018-12-20

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 广木均典 ,  林茂生 ,  中岛健二 ,  福久敏哉 ,  政元启明 ,  山田笃志

IPC: H01L21/60 ,  B23K20/10 ,  H01L21/607 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62

Abstract: 半导体装置(1)具备：安装基板(20)；以及半导体元件(10)，隔着金属凸块(30)被配置在安装基板(20)，半导体元件(10)，具有半导体层叠结构(11)以及第1电极，安装基板(20)，具有第2电极，金属凸块(30)具有与半导体元件(10)的第1电极相接的第1层(31)、以及位于该第1电极的相反侧的第2层(32)，构成第1层(31)的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层(32)的结晶的平均结晶粒径大，第2层(32)位于与半导体元件(10)的第1电极隔开的位置。