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公开(公告)号：CN113282127A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110425289.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电流源，包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路，其中，所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接，所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接；所述基准电流产生电路包括两条支路，每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管，其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接，该场效应管M14的栅端连接偏置电压，源端接地。本发明将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点，与利用场效应管体效应的温度补偿结合，最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率，且总静态电流功耗仅为185nA。
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公开(公告)号：CN113282129B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110496922.6
申请日：2021-05-07
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种纯场效应管低功耗过温保护电路，包括偏置电路、温度电压转换电路、选择电路、比较器和数字输出电路，其中，所述偏置电路的输出与温度电压转换电路的输入连接，温度电压转换电路的输出与选择电路的输入和比较器的输入分别连接，比较器的输出与选择电路的输入连接，选择电路的输出与比较器的输入连接。本发明实现了340nA静态电流的低功耗、实现了温度的滞回比较、避免了使用三极管、避免了使用电阻、避免了使用启动电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113282127B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110425289.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电流源，包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路，其中，所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接，所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接；所述基准电流产生电路包括两条支路，每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管，其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接，该场效应管M14的栅端连接偏置电压，源端接地。本发明将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点，与利用场效应管体效应的温度补偿结合，最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率，且总静态电流功耗仅为185nA。
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公开(公告)号：CN113282129A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110496922.6
申请日：2021-05-07
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种纯场效应管低功耗过温保护电路，包括偏置电路、温度电压转换电路、选择电路、比较器和数字输出电路，其中，所述偏置电路的输出与温度电压转换电路的输入连接，温度电压转换电路的输出与选择电路的输入和比较器的输入分别连接，比较器的输出与选择电路的输入连接，选择电路的输出与比较器的输入连接。本发明实现了340nA静态电流的低功耗、实现了温度的滞回比较、避免了使用三极管、避免了使用电阻、避免了使用启动电路。
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公开(公告)号：CN116707566A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310554305.6
申请日：2023-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种集成吸收网络的宽带收发开关，至少包括收发开关电路和吸收网络，其中，吸收网络集成设置在收发开关电路的输入前端，用于吸收所述收发开关电路中晶体管的寄生参数，以改善收发开关的插入损耗和反射损耗，拓展收发开关的工作带宽；收发开关电路采用串并联单刀双掷收发开关电路，由晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6，微带线TL1、TL2、TL3、TL4、TL5、TL6，电容C1构成。经实验验证发现，采用本发明技术方案，收发开关的工作带宽展宽，同时减小插入损耗，输入和输出反射系数也有显著改善。
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公开(公告)号：CN215376185U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202120811027.4
申请日：2021-04-20
Applicant: 芯集科技(杭州)有限公司 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开了一种基准电流源，包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路，其中，所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接，所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接；所述基准电流产生电路包括两条支路，每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管，其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接，该场效应管M14的栅端连接偏置电压，源端接地。本实用新型将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点，与利用场效应管体效应的温度补偿结合，最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率，且总静态电流功耗仅为185nA。
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公开(公告)号：CN214623450U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202120959411.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 芯集科技(杭州)有限公司 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开了一种纯场效应管低功耗过温保护电路，包括偏置电路、温度电压转换电路、选择电路、比较器和数字输出电路，其中，所述偏置电路的输出与温度电压转换电路的输入连接，温度电压转换电路的输出与选择电路的输入和比较器的输入分别连接，比较器的输出与选择电路的输入连接，选择电路的输出与比较器的输入连接。本实用新型实现了340nA静态电流的低功耗、实现了温度的滞回比较、避免了使用三极管、避免了使用电阻、避免了使用启动电路。
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