公开(公告)号：CN104348454A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410369698.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 谷高真一 ,  山内久美子 ,  小堀俊光

IPC: H03K17/08

CPC classification number: G01R31/2608 ,  G01R19/0092 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/164 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0027

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其对向感测侧单元的浪涌电流的各种异常现象的产生进行抑制，并抑制对半导体装置的负面影响。一种半导体装置，其特征在于，具备：主区域的多个单元、感测区域的多个单元以及对各单元进行驱动的晶体管，在晶体管中的主区域的栅极电阻值与感测区域的栅极电阻值分别为Rgm、Rgs，晶体管中的主区域的寄生电容与感测区域的寄生电容分别为Cgm、Cgs时，根据CR延迟比D＝(Cgs/Cgm)*(Rgs/Rgm)，则感测区域的栅极切断时间比主区域的栅极切断时间设定得更早。