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公开(公告)号：CN115434012B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202110626664.9
申请日：2021-06-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一类二维氧化物晶体及其制备方法与应用。本发明方法为：将氧化物对应的反应原料，制成其对应的化学升华反应所需要的状态，然后均匀分散在介质玻璃中部；将衬底片固定在介质玻璃上方，预留的沉积面朝下，同时正对反应原料；按照氧化物对应的化学升华反应所需要的条件设计目标温度、加热速度和恒温时间，对介质玻璃进行加热，同时进行化学反应和升华沉积，即可得到二维氧化物晶体。相比于传统的晶体生长方法，该方法更简单方便，对环境、设备要求低，适用性广，在空气中即可完成生长，极大地降低了所需的成本，且易于调控生长参数。本发明制备的二维氧化物分子晶体具有明显的可饱和吸收作用，可应用于激光领域，实现脉冲激光输出。
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公开(公告)号：CN115434012A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110626664.9
申请日：2021-06-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一类二维氧化物晶体及其制备方法与应用。本发明方法为：将氧化物对应的反应原料，制成其对应的化学升华反应所需要的状态，然后均匀分散在介质玻璃中部；将衬底片固定在介质玻璃上方，预留的沉积面朝下，同时正对反应原料；按照氧化物对应的化学升华反应所需要的条件设计目标温度、加热速度和恒温时间，对介质玻璃进行加热，同时进行化学反应和升华沉积，即可得到二维氧化物晶体。相比于传统的晶体生长方法，该方法更简单方便，对环境、设备要求低，适用性广，在空气中即可完成生长，极大地降低了所需的成本，且易于调控生长参数。本发明制备的二维氧化物分子晶体具有明显的可饱和吸收作用，可应用于激光领域，实现脉冲激光输出。
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