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公开(公告)号：CN117897043B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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公开(公告)号：CN117897043A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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