公开(公告)号：CN115385378B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202211183899.6

申请日：2022-09-27

Applicant: 暨南大学

Inventor： 杜纯 ,  杨子逸 ,  莫安珍 ,  段宣明

IPC: C01G41/00

Abstract: 本发明属于同质结二维材料技术领域，具体涉及一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用。该二维硫化钨同质结采用化学气相沉积法，通过调控升温速度和流速大小来控制成核的生长，进而实现了不同扭转角度的二维硫化钨同质结的形成，所得同质结的拉曼峰位有明显偏移现象，其表面洁净、无损、尺寸大、质量高；且本发明的制备方法简单、一步合成、操作简便，为研究扭转二维材料特性及其光电子器件应用等领域提供了材料基础。

公开(公告)号：CN115385378A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211183899.6

申请日：2022-09-27

Applicant: 暨南大学

Inventor： 杜纯 ,  杨子逸 ,  莫安珍 ,  段宣明

IPC: C01G41/00

Abstract: 本发明属于同质结二维材料技术领域，具体涉及一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用。该二维硫化钨同质结采用化学气相沉积法，通过调控升温速度和流速大小来控制成核的生长，进而实现了不同扭转角度的二维硫化钨同质结的形成，所得同质结的拉曼峰位有明显偏移现象，其表面洁净、无损、尺寸大、质量高；且本发明的制备方法简单、一步合成、操作简便，为研究扭转二维材料特性及其光电子器件应用等领域提供了材料基础。