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公开(公告)号：CN117664008B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311489252.0
申请日：2023-11-09
Applicant: 暨南大学
IPC: G01B11/16 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/14 , B32B27/40 , B32B27/28 , B32B9/04 , B32B27/08 , B32B27/06 , B32B38/16 , B32B38/00 , B32B38/08 , B32B37/00
Abstract: 本发明公开了一种具有红移机械变色响应的可拉伸光子晶体应变传感器，具体涉及纳米复合材料领域，包括弹性基底和嵌入所述弹性基底的胶体晶体薄膜，所述胶体晶体薄膜用于产生结构色，所述弹性基底用于赋予胶体晶体薄膜可拉伸性。所述胶体晶体薄膜层数可控，每层胶体晶体薄膜由周期性排列的纳米颗粒组装而成，层内纳米颗粒为非紧密排列结构，层间纳米颗粒为紧密排列结构，进而以波长红移的形式来实现应变检测。本发明制备的传感器具有与七彩变色龙相似的变色特性，具有色彩鲜艳，传感范围广的优点。传感器制备过程快速简单，材料无毒无危害，具有高稳定性。本发明制备的传感器可以应用在机器应变传感、健康检测、人机交互、防伪等领域中。
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公开(公告)号：CN118392024A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410274848.7
申请日：2024-03-11
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种应变可视化的超灵敏仿生皮肤传感器，包括上层弹性基质、设于上层弹性基质上的微凸光子晶体层、下层弹性基质及设于下层弹性基质中的复合导电薄膜。光子晶体层用于仿生变色龙皮肤通过结构色变化判断应变程度以实现可视化传感，其微凸结构赋予器件更鲜艳的结构色；复合导电薄膜由导通层、连接层及增敏层构成，用于仿生蜘蛛腿部狭缝感器及人体皮肤弹性纤维，通过电阻变化判断微小应变程度实现超灵敏传感。本发明制备的传感器通过仿生皮肤实现高效性能及灵活适应性，将全范围人体运动信号监测转化为光信号和电信号，在可穿戴电子产品，医疗设备及智能机器人等领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118392024B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410274848.7
申请日：2024-03-11
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种应变可视化的超灵敏仿生皮肤传感器，包括上层弹性基质、设于上层弹性基质上的微凸光子晶体层、下层弹性基质及设于下层弹性基质中的复合导电薄膜。光子晶体层用于仿生变色龙皮肤通过结构色变化判断应变程度以实现可视化传感，其微凸结构赋予器件更鲜艳的结构色；复合导电薄膜由导通层、连接层及增敏层构成，用于仿生蜘蛛腿部狭缝感器及人体皮肤弹性纤维，通过电阻变化判断微小应变程度实现超灵敏传感。本发明制备的传感器通过仿生皮肤实现高效性能及灵活适应性，将全范围人体运动信号监测转化为光信号和电信号，在可穿戴电子产品，医疗设备及智能机器人等领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117664008A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311489252.0
申请日：2023-11-09
Applicant: 暨南大学
IPC: G01B11/16 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/14 , B32B27/40 , B32B27/28 , B32B9/04 , B32B27/08 , B32B27/06 , B32B38/16 , B32B38/00 , B32B38/08 , B32B37/00
Abstract: 本发明公开了一种具有红移机械变色响应的可拉伸光子晶体应变传感器，具体涉及纳米复合材料领域，包括弹性基底和嵌入所述弹性基底的胶体晶体薄膜，所述胶体晶体薄膜用于产生结构色，所述弹性基底用于赋予胶体晶体薄膜可拉伸性。所述胶体晶体薄膜层数可控，每层胶体晶体薄膜由周期性排列的纳米颗粒组装而成，层内纳米颗粒为非紧密排列结构，层间纳米颗粒为紧密排列结构，进而以波长红移的形式来实现应变检测。本发明制备的传感器具有与七彩变色龙相似的变色特性，具有色彩鲜艳，传感范围广的优点。传感器制备过程快速简单，材料无毒无危害，具有高稳定性。本发明制备的传感器可以应用在机器应变传感、健康检测、人机交互、防伪等领域中。
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公开(公告)号：CN117268276B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310235191.9
申请日：2023-03-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 或多个领域的应用。本发明涉及纳米复合材料领域，更具体地，本发明首先提供一种柔性应变传感器，包括柔性衬底以及设于柔性衬底上的胶体晶体薄膜，胶体晶体膜为多个胶体纳米颗粒非紧密排列形成，胶体纳米颗粒均包括覆盖有金属薄膜的下区域和未覆盖金属薄膜的上区域，下区域的下部嵌入所述柔性衬底。本发明提供的柔性应变传感器产生的结构色兼具高反射与宽视角，且具有良好粘性，易于穿戴和检测。本发明还提供该柔性应变传感器的制备方法，过程简单，制取材料环保，成
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117640062A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311663750.2
申请日：2023-12-06
Applicant: 暨南大学
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性分叉EP点的混沌信号发生装置，具体涉及混沌动力学和分叉理论，所述信号发生装置包含宇称时间反对称电路；所述宇称时间反对称电路包括两个LRC谐振器，通过一个电阻Rc进行耦合，每个谐振器由一个负电阻单元Rj、一个电容Cj和一个电感Lj组成，其中j表示谐振器的索引，该电路通过非线性诱导EP去简并，放大系统的敏感性。本发明所述的一种基于非线性分叉EP点的混沌信号发生装置，混沌信号的高度复杂性：采用非线性分叉EP点作为混沌信号发生装置的基础，可以产生高度复杂、随机和宽频谱的混沌信号，依据非线性分叉EP点可以产生宽频谱的信号和提升抗干扰性能。
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公开(公告)号：CN117268276A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310235191.9
申请日：2023-03-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料领域，更具体地，本发明首先提供一种柔性应变传感器，包括柔性衬底以及设于柔性衬底上的胶体晶体薄膜，胶体晶体膜为多个胶体纳米颗粒非紧密排列形成，胶体纳米颗粒均包括覆盖有金属薄膜的下区域和未覆盖金属薄膜的上区域，下区域的下部嵌入所述柔性衬底。本发明提供的柔性应变传感器产生的结构色兼具高反射与宽视角，且具有良好粘性，易于穿戴和检测。本发明还提供该柔性应变传感器的制备方法，过程简单，制取材料环保，成本低廉，普适性好。此外，本发明还提供所述柔性应变传感器在应力传感、防伪、显示中任意一个或多个领域的应用。
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公开(公告)号：CN117890682B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311823319.X
申请日：2023-12-27
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R29/00
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法，具体涉及精细测量领域，其具体步骤如下：制作具有工程EP点的宇称时间反对称电路，对该电路进行振荡，得到宇称时间反对称破缺相。本发明针对在线性状态下提升系统灵敏度，即简并度，会导致系统鲁棒性降低的问题，解决了鲁棒性和灵敏度之间需要权衡的技术痛点；利用宇称时间反对称电路，通过实验证明了非线性对简并度提升的影响，在宇称时间反对称破缺相位下，特征模之间的非线性相互作用产生了十二阶非线性，导致了简并度提升，在保证检测极限的同时，六阶非线性分岔将灵敏度提高了11倍；方案结构简单、稳定性强，能够在不牺牲系统鲁棒性的情况下降系统的灵敏度提升一个数量级。
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公开(公告)号：CN117897043B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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公开(公告)号：CN117897043A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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