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公开(公告)号：CN117268276B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310235191.9
申请日：2023-03-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 或多个领域的应用。本发明涉及纳米复合材料领域，更具体地，本发明首先提供一种柔性应变传感器，包括柔性衬底以及设于柔性衬底上的胶体晶体薄膜，胶体晶体膜为多个胶体纳米颗粒非紧密排列形成，胶体纳米颗粒均包括覆盖有金属薄膜的下区域和未覆盖金属薄膜的上区域，下区域的下部嵌入所述柔性衬底。本发明提供的柔性应变传感器产生的结构色兼具高反射与宽视角，且具有良好粘性，易于穿戴和检测。本发明还提供该柔性应变传感器的制备方法，过程简单，制取材料环保，成
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公开(公告)号：CN117640062A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311663750.2
申请日：2023-12-06
Applicant: 暨南大学
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性分叉EP点的混沌信号发生装置，具体涉及混沌动力学和分叉理论，所述信号发生装置包含宇称时间反对称电路；所述宇称时间反对称电路包括两个LRC谐振器，通过一个电阻Rc进行耦合，每个谐振器由一个负电阻单元Rj、一个电容Cj和一个电感Lj组成，其中j表示谐振器的索引，该电路通过非线性诱导EP去简并，放大系统的敏感性。本发明所述的一种基于非线性分叉EP点的混沌信号发生装置，混沌信号的高度复杂性：采用非线性分叉EP点作为混沌信号发生装置的基础，可以产生高度复杂、随机和宽频谱的混沌信号，依据非线性分叉EP点可以产生宽频谱的信号和提升抗干扰性能。
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公开(公告)号：CN117268276A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310235191.9
申请日：2023-03-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料领域，更具体地，本发明首先提供一种柔性应变传感器，包括柔性衬底以及设于柔性衬底上的胶体晶体薄膜，胶体晶体膜为多个胶体纳米颗粒非紧密排列形成，胶体纳米颗粒均包括覆盖有金属薄膜的下区域和未覆盖金属薄膜的上区域，下区域的下部嵌入所述柔性衬底。本发明提供的柔性应变传感器产生的结构色兼具高反射与宽视角，且具有良好粘性，易于穿戴和检测。本发明还提供该柔性应变传感器的制备方法，过程简单，制取材料环保，成本低廉，普适性好。此外，本发明还提供所述柔性应变传感器在应力传感、防伪、显示中任意一个或多个领域的应用。
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公开(公告)号：CN117739798B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311570645.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 暨南大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及柔性电阻式应变传感器技术领域，目的之一在于提供一种柔性电阻式应变传感器的制备方法，以解决柔性传感器灵敏度差、制备工艺复杂的缺陷，包括以下步骤：S1.取金属纳米线溶液分散在极性溶剂中，得到金属纳米线分散液；S2.使用硫醇化合物金属纳米线分散液改性，制得改性金属纳米线分散液；S3.使用极性溶剂稀释改性金属纳米线分散液后，分离极性溶剂，以使改性金属纳米线分散液在基板上沉积出一层改性金属纳米线导电网络层；S4.将弹性聚合物浇铸在经步骤S3处理后的基板上，分离基板；S5.在经步骤S4处理后的改性金属纳米线导电网络层的两端分别连接引线，制得柔性电阻式应变传感器。本发明的再一目的在于提供上述制备方法制得的柔性传感器。
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公开(公告)号：CN117739798A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311570645.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 暨南大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及柔性电阻式应变传感器技术领域，目的之一在于提供一种柔性电阻式应变传感器的制备方法，以解决柔性传感器灵敏度差、制备工艺复杂的缺陷，包括以下步骤：S1.取金属纳米线溶液分散在极性溶剂中，得到金属纳米线分散液；S2.使用硫醇化合物金属纳米线分散液改性，制得改性金属纳米线分散液；S3.使用极性溶剂稀释改性金属纳米线分散液后，分离极性溶剂，以使改性金属纳米线分散液在基板上沉积出一层改性金属纳米线导电网络层；S4.将弹性聚合物浇铸在经步骤S3处理后的基板上，分离基板；S5.在经步骤S4处理后的改性金属纳米线导电网络层的两端分别连接引线，制得柔性电阻式应变传感器。本发明的再一目的在于提供上述制备方法制得的柔性传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118948289B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411023786.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及表皮电极技术领域，具体涉及一种基于微纳金属的超薄共形表皮电极的制备方法；包括水释放纸印刷面的平坦化，微纳金属导电油墨的制备、印刷和烧结，粘附弹性聚合物的涂覆、流平和固化，以及超薄电极从水溶性释放层到皮肤的转移。本发明公开的超薄共形表皮电极的制备工艺简单、成功率高和扩展性好，所制得的表皮电极具有良好的柔顺性、拉伸性、粘附性和长期耐用性，通过印刷工艺对微纳金属导电进行高精度图案化，可实现表皮电极对各种生物信号的高精度、高稳定检测，如心电、脉搏波、运动信号等。
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公开(公告)号：CN118948289A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411023786.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及表皮电极技术领域，具体涉及一种基于微纳金属的超薄共形表皮电极的制备方法；包括水释放纸印刷面的平坦化，微纳金属导电油墨的制备、印刷和烧结，粘附弹性聚合物的涂覆、流平和固化，以及超薄电极从水溶性释放层到皮肤的转移。本发明公开的超薄共形表皮电极的制备工艺简单、成功率高和扩展性好，所制得的表皮电极具有良好的柔顺性、拉伸性、粘附性和长期耐用性，通过印刷工艺对微纳金属导电进行高精度图案化，可实现表皮电极对各种生物信号的高精度、高稳定检测，如心电、脉搏波、运动信号等。
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公开(公告)号：CN117890682B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311823319.X
申请日：2023-12-27
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R29/00
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法，具体涉及精细测量领域，其具体步骤如下：制作具有工程EP点的宇称时间反对称电路，对该电路进行振荡，得到宇称时间反对称破缺相。本发明针对在线性状态下提升系统灵敏度，即简并度，会导致系统鲁棒性降低的问题，解决了鲁棒性和灵敏度之间需要权衡的技术痛点；利用宇称时间反对称电路，通过实验证明了非线性对简并度提升的影响，在宇称时间反对称破缺相位下，特征模之间的非线性相互作用产生了十二阶非线性，导致了简并度提升，在保证检测极限的同时，六阶非线性分岔将灵敏度提高了11倍；方案结构简单、稳定性强，能够在不牺牲系统鲁棒性的情况下降系统的灵敏度提升一个数量级。
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公开(公告)号：CN117897043B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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公开(公告)号：CN117897043A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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