公开(公告)号：CN113461120A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110724116.X

申请日：2021-06-28

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘海 ,  皮霜玉 ,  王旸 ,  孙明英 ,  赵玥斐 ,  陈达

IPC: C02F1/48

Abstract: 本发明公开了一种交变电场强化的纳米线电极电穿孔消毒方法，将方波交变电压施加到纳米线多孔电极的电极内过滤消毒装置的两个电极之间；所述方波交变电压的高电平电压为1～5V，低电平电压为‑5～‑1V；所述方波交变电压的频率f满足以下条件：0

公开(公告)号：CN113620391A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110798683.X

申请日：2021-07-15

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘海 ,  皮霜玉 ,  王旸 ,  赵玥斐 ,  孙明英 ,  陈达

IPC: C02F1/467 ,  C02F1/461

Abstract: 本发明公开了一种去除水中抗生素抗性菌和/或抗生素抗性基因的方法，以表面负载有四氧化三钴纳米线的电极为阴极，以表面负载有四氧化三钴纳米线为阳极，在阴极、阳极之间施加10‑20V的直流电压；使含有抗生素抗性菌和/或抗生素抗性基因的污水垂直流过阴极、阳极的界面，利用阴极、阳极界面的强电场效应及电化学活性位点，去除水中抗生素抗性菌和/或抗生素抗性基因。本发明还公开了实现上述方法的装置。本发明能有效地去除水中抗生素抗性菌和抗生素抗性基因。

公开(公告)号：CN112940249A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110119243.7

申请日：2021-01-28

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘海 ,  皮霜玉 ,  王旸 ,  张佳春秀 ,  王文宜 ,  孙明英 ,  梁草

IPC: C08G73/06 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，该合成方法采用单个阳极与双阴极配对的形式，通过更换与阳极配对的阴极位置和水流方向，进而实现在三维电极材料表面和内部合成均质聚吡咯纳米线阵列(PPyNWs)，本发明方法反应条件简单易于控制，适合在三维多孔材料表面与内部生成均质聚吡咯纳米线阵列，提升聚吡咯纳米线的应用性能。

公开(公告)号：CN112940249B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110119243.7

申请日：2021-01-28

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘海 ,  皮霜玉 ,  王旸 ,  张佳春秀 ,  王文宜 ,  孙明英 ,  梁草

IPC: C08G73/06 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，该合成方法采用单个阳极与双阴极配对的形式，通过更换与阳极配对的阴极位置和水流方向，进而实现在三维电极材料表面和内部合成均质聚吡咯纳米线阵列(PPyNWs)，本发明方法反应条件简单易于控制，适合在三维多孔材料表面与内部生成均质聚吡咯纳米线阵列，提升聚吡咯纳米线的应用性能。