公开(公告)号：CN102016717B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980114736.9

申请日：2009-03-13

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 木下健

IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制、特别是掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降得到抑制的EUV掩模及该EUV掩模的制造中使用的EUV掩模基板。本发明是一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。

公开(公告)号：CN103026296B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180036685.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 三上正树 ,  木下健

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/62

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891

Abstract: 本发明提供Ru保护层的氧化导致的反射率下降得到抑制的EUV掩模底版和用于制造该EUV掩模底版的带功能膜的基板以及该带功能膜的基板的制造方法。所述EUV光刻用带反射层的基板是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板，其特征在于，所述反射层为Mo/Si多层反射膜，所述保护层为Ru层或Ru化合物层，在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层，所述中间层由含0.5～25at％氮、75～99.5at％Si的第一层和含60～99.8at％Ru、0.1～10at％氮、0.1～30at％Si的第二层构成，第一层和第二层的总膜厚为0.2～2.5nm，构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧，所述第二层形成于所述第一层上，所述保护层实质上不含Si。

公开(公告)号：CN102016717A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114736.9

申请日：2009-03-13

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 木下健

IPC: G03F1/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制、特别是掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降得到抑制的EUV掩模及该EUV掩模的制造中使用的EUV掩模基板。本发明是一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。

公开(公告)号：CN102292807A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005564.4

申请日：2010-01-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 木下健 ,  伊势博利

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70708

Abstract: 本发明提供静电吸盘和玻璃衬底之间因夹杂颗粒等异物而对玻璃衬底表面或吸盘面造成损伤这一情况的发生得到抑制的EUV掩模基板的制造方法。该EUV掩模基板的制造方法的特征在于，吸附保持玻璃衬底的静电吸盘在主体上依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。

公开(公告)号：CN103026296A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036685.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 三上正树 ,  木下健

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/62

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891

Abstract: 本发明提供Ru保护层的氧化导致的反射率下降得到抑制的EUV掩模底版和用于制造该EUV掩模底版的带功能膜的基板以及该带功能膜的基板的制造方法。所述EUV光刻用带反射层的基板是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板，其特征在于，所述反射层为Mo/Si多层反射膜，所述保护膜为Ru层或Ru化合物层，在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层，所述中间层由含0.5～25at％氮、75～99.5at％Si的第一层和含60～99.8at％Ru、0.1～10at％氮、0.1～30at％Si的第二层构成，第一层和第二层的总膜厚为0.2～2.5nm，构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧，所述第二层形成于所述第一层上，所述保护层实质上不含Si。