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公开(公告)号：CN1279196C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200310123151.8
申请日：2003-11-28
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: C22C9/00
CPC classification number: C22C9/00 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的目的是，提供抑制浓度波波长的紊乱、实现优异的强度并且抑制晶粒长大、实现优异的弯曲性能的铜合金。本发明的铜合金是含有Ti：2.0-4.0%(质量)的铜基合金，不可避免地含有的元素组含有Pb、Sn、Zn、Mn、Fe、Co、Ni、S、Si、Al、P、As、Se、Te、Sb、Bi、Au和Ag的合计含量是0.1%(质量)以下，各元素的含量被控制在0.01%(质量)以下，通过断面电子显微镜检查观察到的面积在0.01μm2以上的第二相粒子的个数的80%以上，以组成比计合计含有3%以上的上述不可避免地含有的元素组。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100406597C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610067900.3
申请日：2006-03-14
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，通过对添加第3元素从而高强度化了的钛铜改善冲压落料性，进而实现优异的弯曲加工性，来提供冲压加工性优异的钛铜。本发明的铜合金，其特征在于，是含有2.0-4.0质量%Ti和0.05-0.50质量%Fe的铜基合金，其中，其他杂质元素的合计为0.01质量%以下，X射线衍射强度比满足I(311)/I(111)≥0.5。
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公开(公告)号：CN1306050C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410095941.4
申请日：2004-11-26
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜基合金，其中，以常温下碳化物的标准生成自由能为-42kJ/mol以下(绝对值42kJ/mol以上)的1种或者2种以上作为合金的构成元素，其含量为0.1～5.0质量%，其余部分由Cu以及不可避免的杂质构成，该压延平行断面的结晶粒的圆等效直径的平均值为0.5μm～30μm，结晶粒的宽与长的长宽比的平均值为1/5以上。本发明提供一种加压冲压性优良的电子零件用原材料，其中，在铜基合金上镀有厚度为0.05μm～2.00μm的Cu。本发明还提供一种加压冲压性优良的电子零件用原材料，其中，在铜基合金中上镀有厚度为0.05μm～2.00μm的Cu，并且在其上层镀有厚度为0.005μm～0.20μm的Sn，然后进行使Cu镀层与Sn镀层形成扩散层的热处理。
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公开(公告)号：CN1834273A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610067900.3
申请日：2006-03-14
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，通过对添加第3元素从而高强度化了的钛铜改善冲压落料性，进而实现优异的弯曲加工性，来提供冲压加工性优异的钛铜。本发明的铜合金，其特征在于，是含有2.0－4.0质量％Ti和0.05－0.50质量％Fe的铜基合金，其中，其他杂质元素的合计为0.01质量％以下，X射线衍射强度比满足I(311)/I(111)≥0.5。
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公开(公告)号：CN101238230A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028580.9
申请日：2006-08-03
Applicant: 日矿金属株式会社
Inventor： 菅原保孝
CPC classification number: C22C9/00
Abstract: 本发明涉及电子部件用铜合金，其在含有2.0～4.0％质量Ti以及0.05～0.50％质量的选自Fe、Co、Ni、Si、Cr、V、Nb、Zr、B、P的1种以上的铜基合金中，其它杂质合计是0.010％质量以下，C和O的含量一起是0.010％质量以下。该铜合金在冲压加工成接插件等部件后，在下面两种情况下均可以使用：不作热处理而直接使用时；在冲压加工后通过进行特定的热处理，使弹簧性进一步提高的状态下使用时。
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公开(公告)号：CN1297674C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200310119505.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明的目的在于在实现铜合金的优良的弯曲性的同时，尊重钛铜的强化机构的本质，在充分确保其优良特性的条件下谋求进一步的强度提高。含有2.0～4.0质量%的Ti，作为第3元素群，含有0.01～0.50质量%的Fe，Co，Ni，Cr，V，Zr，B及P中的一种以上元素，使这些元素的含有量的50%以上作为第2相粒子存在。
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