公开(公告)号：CN1015649B

公开(公告)日：1992-02-26

申请号：CN87101952

申请日：1987-03-13

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  中冈一秀 ,  荒木健治 ,  村上胜彦 ,  风间彰 ,  堀江重豪

IPC: C30B15/02 ,  C30B29/06

Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。

公开(公告)号：CN87101952A

公开(公告)日：1987-09-23

申请号：CN87101952

申请日：1987-03-13

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  中冈一秀 ,  荒木健治 ,  村上胜彦 ,  风间彰 ,  堀江重豪

IPC: C30B15/22

Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。