公开(公告)号：CN114761630B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202080080357.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小川博久 ,  小林义政 ,  饭田和希 ,  柴田宏之

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: AlN单晶板具有厚度方向上的第一面、以及与第一面对置的第二面。AlN单晶板在第一面与第二面之间的中间部，与第一面大致平行地存在分散地导入有多个金属成分的含金属成分区域。

公开(公告)号：CN118234899A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075107.5

申请日：2022-03-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小川博久 ,  渡边守道 ,  小林博治

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种偏角分布小的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是具有半径r的圆形状的AlN单晶基板，在将AlN单晶基板划分为从AlN单晶基板的中心沿径向至0.4r的区域即中心部、从AlN单晶基板的中心沿径向至0.7r的区域中除中心部以外的区域即中间部以及从AlN单晶基板的整个区域中除中心部和中间部以外的区域即外周部这三个区域的情况下，中心部的位错密度Dc、中间部的位错密度Dm以及外周部的位错密度Dp满足Dm＞Dp＞Dc的关系。

公开(公告)号：CN114761630A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080080357.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小川博久 ,  小林义政 ,  饭田和希 ,  柴田宏之

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: AlN单晶板具有厚度方向上的第一面、以及与第一面对置的第二面。AlN单晶板在第一面与第二面之间的中间部，与第一面大致平行地存在分散地导入有多个金属成分的含金属成分区域。

公开(公告)号：CN118284723A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077170.2

申请日：2022-03-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林博治 ,  小川博久 ,  渡边守道

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明提供一种在加工(磨削、研磨、切断等)时不易发生崩边的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是包含碳原子和稀土原子作为杂质的AlN单晶基板，其中，将AlN单晶基板中的碳原子浓度(atoms/cm3)记作CC、将稀土原子浓度(atoms/cm3)记作CRE时，满足下列关系式：0.0010＜CRE/CC＜0.2000。

公开(公告)号：CN118339330A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079682.2

申请日：2022-03-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林博治 ,  小川博久 ,  渡边守道

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02

Abstract: 提供一种在被加工(磨削、研磨、切断等)时难以产生裂纹的AlN单晶基板。该AlN单晶基板在将AlN单晶基板在25℃时的热导率(W/m·K)设为λ25、将AlN单晶基板在200℃时的热导率(W/m·K)设为λ200、将AlN单晶基板在25℃时的电阻率(Ω·cm)设为ρ、将AlN单晶基板在透射光谱中的640～660nm时的透过率(％)的平均值设为T640－660、将在上述透射光谱中的260～280nm时的透过率(％)的平均值设为T260－280时，满足5≤[(λ25－λ200)×log10ρ]/(T640－660－T260－280)≤50的关系式。

公开(公告)号：CN116888311A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280016509.8

申请日：2022-02-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林博治 ,  小川博久 ,  渡边守道

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明提供一种裂纹的产生得到了抑制的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是从缺陷密度的观点出发能够沿厚度方向依次划分为第一层、第二层以及第三层的、整体由一个AlN单晶构成的3层结构的AlN单晶基板，其中，第二层具有第一层以及第三层各自的缺陷密度的10倍以上的缺陷密度。