-
公开(公告)号：CN1161577A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
-
公开(公告)号：CN1096690C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN95109128.X
申请日：1995-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3903 , H01F10/007 , H01L43/10 , Y10S428/928 , Y10T428/1107 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明涉及磁致电阻材料及其膜。该材料是非磁性基质和分散在非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁致电阻效应的退化，使用含有Pt和至少一种选自Cu、Ag、和Au中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。非磁性基质可任选地含有限量的选自Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir的辅助元素。磁致电阻材料膜可在基体上成膜，并可任选地在膜和基体间插入缓冲膜和/或用保护层覆盖该膜。
-
公开(公告)号：CN1121250A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95109128.X
申请日：1995-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01F1/01
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3903 , H01F10/007 , H01L43/10 , Y10S428/928 , Y10T428/1107 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明涉及一种磁阻性材料，即具有磁阻性的导电材料，该材料是由非磁性基质和分散在所述非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁阻性效应的退化，使用至少两种选自Cu、Ag、Au和Pt中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。可选择地是，非磁性基质可含有限量的选自于Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir中的辅助元素。磁阻性材料膜可在基体上成膜，并可任选地在所述膜和基体间插入缓冲膜和或所述膜为保护层所覆盖。
-
公开(公告)号：CN1088917C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
