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公开(公告)号：CN206557758U
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201720235609.6
申请日：2017-03-06
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F13/16
Abstract: 本实用新型涉及一种基于FPGA可扩展的NAND FLASH存储芯片阵列控制器。本实用新型由主机控制模块和NAND FLASH存储芯片控制器模块组成，以单个NAND FLASH存储芯片控制器为核心，并行操作多片NAND FLASH存储芯片，避免了多个控制器所产生的同步问题，同时加入了双缓冲和流水线技术，提高数据的存取速率，完成对NAND FLASH存储芯片阵列的操作，实现了对高速大容量数据的存储。本实用新型克服了过去存在的比较复杂的同步问题。本实用新型高了数据存取速度，实现对NAND FLASH存储芯片阵列的控制。
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