公开(公告)号：CN1900162A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610041005.4

申请日：2006-07-12

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张明 ,  李大军 ,  严长浩 ,  王文 ,  吴德峰 ,  陆宏良

IPC: C08L77/00 ,  C08K3/04

Abstract: 聚酰胺/石墨纳米导电复合材料及其制备方法，涉及一种聚酰胺/石墨纳米导电复合材料的工艺，由主基体聚酰胺、辅基体和石墨组成，各组分的质量份为：主基体聚酰胺100份、辅基体5～60份、石墨2～40份。本发明具有较低的渗滤阈值(3－4％)和较高的电导率。由于导电填料填充量较低，本发明基本保持了尼龙的优异的力学性能和加工性能，同时，又具有较好的抗静电性，因此具有广阔的工业化前景，有望在防静电材料、电磁屏蔽材料、微波吸收等领域获得广泛的应用。

公开(公告)号：CN100430441C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200610041005.4

申请日：2006-07-12

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张明 ,  李大军 ,  严长浩 ,  王文 ,  吴德峰 ,  陆宏良

IPC: C08L77/00 ,  C08K3/04

Abstract: 聚酰胺/石墨纳米导电复合材料及其制备方法，涉及一种聚酰胺/石墨纳米导电复合材料的工艺，由主基体聚酰胺、辅基体和膨胀倍数在100倍以上的膨胀石墨组成，各组分的质量份为：主基体聚酰胺100份、辅基体5～60份、膨胀倍数在100倍以上的膨胀石墨2～40份。本发明具有较低的渗滤阈值(3-4%)和较高的电导率。由于导电填料填充量较低，本发明基本保持了尼龙的优异的力学性能和加工性能，同时，又具有较好的抗静电性，因此具有广阔的工业化前景，有望在防静电材料、电磁屏蔽材料、微波吸收等领域获得广泛的应用。