公开(公告)号：CN108365060A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810102960.7

申请日：2018-02-01

Applicant: 扬州大学

Inventor： 程立文 ,  曹常锐 ,  曾祥华 ,  马剑 ,  徐作政

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开了一种GaN LED的外延结构及其生长方法，依次包括处理衬底，生长低温成核层，生长非掺杂低温u-GaN层，生长掺Si的n-GaN层，生长发光层，生长GaN-AlGaN-GaN势垒层，生长P型GaN层，降温冷却步骤。本发明采用GaN-AlGaN-GaN组合结构，能够有效的提供电子势垒以限制电子向P型区的泄露，降低了电子和空穴在P型区的非辐射复合，并有效的提高了空穴从P电极向有源区的注入，提高器件的光电性能；去除传统的AlGaN电子阻挡层，避开了在生长较厚高掺Mg的p型AlGaN层时，会使得材料界面产生严重晶格缺陷和大的应力的问题，也避免了长时间高温生长对MQW层的影响，提高了芯片质量。

公开(公告)号：CN108365060B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201810102960.7

申请日：2018-02-01

Applicant: 扬州大学

Inventor： 程立文 ,  曹常锐 ,  曾祥华 ,  马剑 ,  徐作政

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种GaN LED的外延结构及其生长方法，依次包括处理衬底，生长低温成核层，生长非掺杂低温u‑GaN层，生长掺Si的n‑GaN层，生长发光层，生长GaN‑AlGaN‑GaN势垒层，生长P型GaN层，降温冷却步骤。本发明采用GaN‑AlGaN‑GaN组合结构，能够有效的提供电子势垒以限制电子向P型区的泄露，降低了电子和空穴在P型区的非辐射复合，并有效的提高了空穴从P电极向有源区的注入，提高器件的光电性能；去除传统的AlGaN电子阻挡层，避开了在生长较厚高掺Mg的p型AlGaN层时，会使得材料界面产生严重晶格缺陷和大的应力的问题，也避免了长时间高温生长对MQW层的影响，提高了芯片质量。