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公开(公告)号：CN117749103A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311488736.3
申请日：2023-11-09
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开一种线性度增强的CMOS混频器电路，应用于射频集成电路领域，具体的公开了一种线性度增强的CMOS混频器电路，包括射频跨导输入级、本振开关输入级、中频输出负载级、有源阻抗级。本发明使用CMOS互补的射频输入跨导级，获得电流复用和注入双重效果，降低混频器的功耗和噪声；使用反相器和电容的组合形成有源感抗，来吸收开关管尾结点的寄生电容，减小电感的直接使用带来的版图面积过大的问题；使用电容交叉耦合的有源负阻级来补偿尾结点的有限阻；有源负阻级、感抗级组合成为有源阻抗级，可以提高混频器电路的线性度。
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