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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104718697B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201380051328.X
申请日：2013-09-30
Applicant: 张量通讯公司
Inventor： 孔檬·塔姆
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/364 , H03B5/06 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094 , H03B2201/031 , H03L5/00
Abstract: 大增益被用于快速启动晶体的振荡。控制电路基于所测量的振幅禁用低电阻路径，以降低晶体的功耗规格。另一技术介绍了受混频信号控制的电源多路径电阻式阵列，该电阻式阵列调整最大电流来适应晶体。逐次逼近寄存器将振幅转换成若干分区，并启用/禁用通往振荡器的逆变器的若干功率路由路径之一。这可实现在用户所选择的晶体与片上驱动电路之间得到较好的匹配，以便在不让晶体承压的情况下将振荡器上电。通过在三极管区而不是线性区操作晶体管，最小化振荡器电路的“1/f”噪声。
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公开(公告)号：CN104718697A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380051328.X
申请日：2013-09-30
Applicant: 张量通讯公司
Inventor： 孔檬·塔姆
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/364 , H03B5/06 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094 , H03B2201/031 , H03L5/00
Abstract: 大增益被用于快速启动晶体的振荡。控制电路基于所测量的振幅禁用低电阻路径，以降低晶体的功耗规格。另一技术介绍了受混频信号控制的电源多路径电阻式阵列，该电阻式阵列调整最大电流来适应晶体。逐次逼近寄存器将振幅转换成若干分区，并启用/禁用通往振荡器的逆变器的若干功率路由路径之一。这可实现在用户所选择的晶体与片上驱动电路之间得到较好的匹配，以便在不让晶体承压的情况下将振荡器上电。通过在三极管区而不是线性区操作晶体管，最小化振荡器电路的“1/f”噪声。
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公开(公告)号：CN106575944B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201580045356.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 张量通讯公司
Abstract: 本地振荡器(LO)泄漏和镜像是典型发射机中常见且不期望的效应。通常，使用相当复杂的硬件和算法来校准和减少这些损害。用基本上不引入直流电流并占据非常小的面积的单个晶体管来检测LO泄漏和镜像信号。操作为平方律器件的单个晶体管用于将功率放大器的输入端口处的信号与输出端口处的信号混合。由单个晶体管生成的混合信号使得能够对LO泄漏和镜像抑制进行同时校准。
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公开(公告)号：CN106575944A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580045356.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 张量通讯公司
Abstract: 本地振荡器(LO)泄漏和镜像是典型发射机中常见且不期望的效应。通常，使用相当复杂的硬件和算法来校准和减少这些损害。用基本上不引入直流电流并占据非常小的面积的单个晶体管来检测LO泄漏和镜像信号。操作为平方律器件的单个晶体管用于将功率放大器的输入端口处的信号与输出端口处的信号混合。由单个晶体管生成的混合信号使得能够对LO泄漏和镜像抑制进行同时校准。
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公开(公告)号：CN103650363A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033310.2
申请日：2012-06-16
Applicant: 张量通讯公司
IPC: H04B7/00
CPC classification number: H03K3/012 , G05F3/16 , H01Q1/50 , H03K17/56 , H04B5/0075
Abstract: 本发明消除了对“电容器耦合”或“变压器耦合”以及设计高频（约60GHz）电路时与这些耦合技术相关联的不希望的寄生电容和电感的需要。在这一频率处，需要将两个相邻级之间的距离最小化。使用一个与电源或多条接地线串联的谐振电路来将一个偏置信号从一个高频信号隔离。该谐振电路的引入允许使用一个金属迹线将一个第一级“直接耦合”到一个下一级。该“直接耦合”技术将高频信号和偏置电压都传递到该下一级。由于电容器和变压器都不被要求在两级之间转接这些高频信号，当与或者“AC耦合”或者“变压器耦合”方法比较时，该“直接耦合”方法克服了大管芯面积使用。
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