公开(公告)号：CN1467710A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03107700.5

申请日：2003-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 濱口慎吾 ,  尾崎一幸

IPC: G11B5/86 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/865 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0029

Abstract: 沿着穿过(垂直)基底(10)表面的方向施加作为外部磁场的初始化磁场(Hi)以便初始化介质(1)，使得可以同时初始化第一磁薄膜(11)和第二磁薄膜(12)。在这个初始化介质的方法中，相对穿过基底(10)的方向，第一磁薄膜(11)的初始化磁化(H1i)的磁化方向与第二磁薄膜(12)的初始化磁化(H2i)的磁化方向彼此一致。

公开(公告)号：CN1261926C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03107700.5

申请日：2003-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 濱口慎吾 ,  尾崎一幸

IPC: G11B5/86 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/865 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0029

Abstract: 本发明公开了一种用于初始化双面垂直磁记录介质的方法，所述双面垂直磁记录介质包括：基底；在所述基底的第一表面上形成的第一磁薄膜；和在所述基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜，其特征在于，在穿过所述基底表面的方向上施加初始化磁场，以同时初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜，相对于所述穿过基底表面的方向，所述第一磁薄膜的初始化磁化的方向和所述第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。