Patent search ap:("富士通株式会社") AND inv:"斋木孝志" Page 1

1.

发明公开
半导体器件及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN1885545A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200510114051.8

申请日：2005-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野村浩 , 斋木孝志 , 迫田恒久

IPC: H01L27/088 , H01L21/8232

CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/82385

Abstract: 在半导体衬底上限定四个区域，即窄NMOS区域、宽NMOS区域、宽PMOS区域以及窄PMOS区域。然后，在该半导体衬底上顺序地形成栅极绝缘膜和多晶硅膜之后，将n型杂质引入该宽NMOS区域内的该多晶硅膜中。接着，通过图案化该多晶硅膜，在所述四个区域中形成栅电极。然后，将n型杂质引入该窄NMOS区域以及该宽NMOS区域内的该栅电极中。因此，使得该窄NMOS区域内的该栅电极的杂质浓度低于该宽NMOS区域内的该栅电极的杂质浓度。

Patent Agency Ranking